一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；对于任一沟槽型元胞，包括位于第二导电类型屏蔽层上方的沟槽栅单元，所述沟槽栅单元与第二导电类型屏蔽层隔离；所述第二导电类型屏蔽层与SiC基板上方用于形成正面第一电极的正面第一电极金属电连接；所述正面第一电极金属与所述沟槽栅单元绝缘隔离；功率器件反向关断时，利用第二导电类型屏蔽层屏蔽沟槽栅单元处的电场。该功率器件具有较高的耐压能力及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件领域，尤其是一种高耐压沟槽型sic功率器件及制备方法。

技术介绍

1、为响应国家绿色环保的能源需求号召，电力电子行业正大力发展迭代各类器件以谋求高功率处理能力及低能量损耗。其中，碳化硅材料的大禁带宽度及临界击穿电场强度表明该类材料在1000v及以上电压应用场景有着非常大的应用价值。

2、目前，碳化硅基功率器件依靠其电压等级高，转换频率高，动静态损耗低，热传导率高等优点，已在中高压市场上占有一席之地。随着技术不断迭代，平面栅功率器件不断缩小的关键尺寸已达到极限，若想进一步提高电流密度，唯有运用沟槽技术。

3、然而，业界发现沟槽底部的栅极氧化层将会承受sic材料带来的超高电场强度，这一区别于硅基材料的差异轻则导致器件长期可靠性退化，重则导致栅极氧化层无法承受工作电压而击穿。

技术实现思路

1、本专利技术人针对上述问题及技术需求，提出了一种高耐压沟槽型sic功率器件及制备方法，本专利技术的技术方案如下：

2、一种高耐压沟槽型sic功率器件，包括第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高耐压沟槽型SiC功率器件，其特征在于，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；

2.根据权利要求1所述的高耐压沟槽型SiC功率器件，其特征在于，有源区内相邻的沟槽型元胞之间设置有屏蔽层引出单元；

3.根据权利要求2所述的高耐压沟槽型SiC功率器件，其特征在于，所述第二导电类型屏蔽层引出区包括第二导电类型第一屏蔽层引出区以及第二导电类型第二屏蔽层引出区，其中，

4.根据权利要求3所述的高耐压沟槽型SiC功率器件，其特征在于，所述屏蔽层引出单元还包括屏...

【技术特征摘要】

1.一种高耐压沟槽型sic功率器件，其特征在于，包括第一导电类型sic基板以及设置于sic基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；

2.根据权利要求1所述的高耐压沟槽型sic功率器件，其特征在于，有源区内相邻的沟槽型元胞之间设置有屏蔽层引出单元；

3.根据权利要求2所述的高耐压沟槽型sic功率器件，其特征在于，所述第二导电类型屏蔽层引出区包括第二导电类型第一屏蔽层引出区以及第二导电类型第二屏蔽层引出区，其中，

4.根据权利要求3所述的高耐压沟槽型sic功率器件，其特征在于，所述屏蔽层引出单元还包括屏蔽层引出沟槽，所述第二导电类型屏蔽层引出区基于屏蔽层引出沟槽形成于sic基板内，其中，

5.根据权利要求2所述的高耐压沟槽型sic功率器件，其特征在于，所述沟槽型元胞中还包括位于沟槽栅单元下方的第一导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴晨凯，王万，李娜，彭振峰，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：