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本发明公开了一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括横贯有源区的第二导电类型屏蔽层以及若干并列分布的沟槽型元胞；对于任一沟槽型元胞，包括位于第...
该专利属于江苏索力德普半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏索力德普半导体科技有限公司授权不得商用。

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