用于等离子增强型薄膜沉积的炉管制造技术

本发明专利技术公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和/或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端与电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过第一电极和第二电极之间。本发明专利技术提高了工艺气体的电离效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工设备领域，进一步地涉及一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管。

技术介绍

1、薄膜沉积工艺是半导体制造中的关键工艺，由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。由于半导体器件的高精度，薄膜通常使用薄膜沉积工艺来实现。薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为物理气相沉积(pvd，physical vapor deposition)和化学气相沉积(cvd，chemicalvapor deposition)。其中，化学气相沉积是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺，化学气相沉积工艺设备的使用占比更高。化学气相沉积工艺进一步包括低压化学气相沉积(lpcvd)、等离子体增强型沉积(pecvd，plasma enhanced chemicalvapor deposition)和原子层沉积(ald，atomic layer deposition)等，其中原子层沉积也可以引入等离子增强模式(peald，plasma enhanced atomic layer deposition本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，所述工艺管还包括：

3.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，>

8.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，所述工艺管还包括：

3.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

11.根据权利要求6所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

13.根据权利要求11所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

14.根据权利要求7所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

15.根据权利要求7所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的用于等离子增强型薄膜沉积的炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晖，王坚，贾社娜，沈辉，周冬成，张大海，吕策，陈国强，崔致久，全鍾赫，千家䘊，李東根，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：