用于晶圆扫描的焦面修正方法及晶圆检测方法技术

本发明专利技术提供用于晶圆扫描的焦面修正方法及晶圆检测方法，使用焦面修正方法，通过在晶圆上选取多个单晶粒，对每个晶粒进行标定，以用来检测焦面传感器所确定聚焦位置对应的高度修正值，使用该高度修正值与焦面传感器确定的当前工作台高度计算单晶粒高度补偿特征数据，最后根据所有单晶粒高度补偿特征数据计算参考晶粒高度补偿特征数据。由于晶圆图案重复特性，该参考晶粒高度补偿特征数据可以被应用到具有相同图形的晶圆检测，对使用焦面传感器确定的待测晶圆上每个晶粒焦面位置所在工作台高度进行修正，修正后的工作台高度能够使晶粒表面位于焦面位置。本实施例能够更高效获得参考晶粒高度补偿特征数据，进而显著提升晶圆检测精度及效率。

【技术实现步骤摘要】

所属的技术人员能够理解，本专利技术的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本专利技术的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“平台”。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。

技术介绍

1、大规模集成电路ic(integrated circuit)制造前道工序中需要对有图形晶圆(patterned wafer)进行检测，如缺陷检测或者对一些关键参数进行测量，来确定产品是否符合设计要求，以保障良率。

2、在相关技术提供的晶圆检测方案中，通过检测设备的成像系统采集待检测样品的扫描图像，同时使用扫描相机获得该待检测样品的扫描图像，通过对扫描图像进行分析来检测晶圆。其中，扫描图像的图像清晰度会影响最终晶圆检测结果的准本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，在每个所述目标晶粒上设定有表征多个所述相应区域位置的所述标定点；所述针对每个所述目标晶粒，使用焦面传感器确定所述相应区域位置的对应聚焦位置的当前工作台高度，通过扫描确定所述相应区域位置的所述对应聚焦位置的高度修正值，包括：

3.根据权利要求2所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，所述针对不同的所述目标晶粒，根据同一所述相应区域位置的单晶粒高度补偿特征数据计算子位置高度补偿特征数据，包括：

4.根据权利要求2所述的用于晶圆扫描的...

【技术特征摘要】

1.一种用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，在每个所述目标晶粒上设定有表征多个所述相应区域位置的所述标定点；所述针对每个所述目标晶粒，使用焦面传感器确定所述相应区域位置的对应聚焦位置的当前工作台高度，通过扫描确定所述相应区域位置的所述对应聚焦位置的高度修正值，包括：

3.根据权利要求2所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，所述针对不同的所述目标晶粒，根据同一所述相应区域位置的单晶粒高度补偿特征数据计算子位置高度补偿特征数据，包括：

4.根据权利要求2所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，所述焦面修正方法还包括：

5.根据权利要求1所述的用于晶圆扫描的焦面修正方法，其特征在于，所述针对放置在工作台上的晶圆选取多个目标晶粒，并在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周侃恒，赵润川，白平，
申请(专利权)人：上海精积微半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：