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本发明提供用于晶圆扫描的焦面修正方法及晶圆检测方法，使用焦面修正方法，通过在晶圆上选取多个单晶粒，对每个晶粒进行标定，以用来检测焦面传感器所确定聚焦位置对应的高度修正值，使用该高度修正值与焦面传感器确定的当前工作台高度计算单晶粒高度补偿特征...
该专利属于上海精积微半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海精积微半导体技术有限公司授权不得商用。

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