一种硅片加工方法和硅片技术

技术编号:42479861 阅读:30 留言:0更新日期:2024-08-21 13:01
本申请公开了一种硅片加工方法和硅片。该硅片加工方法,用于加工待处理的硅片,硅片加工方法包括:将硅片进行第一次退火处理,第一次退火处理具有第一退火温度T<subgt;1</subgt;,第一次退火处理具有第一退火时间t<subgt;1</subgt;;将经过第一次退火处理的硅片进行第二次退火处理,第二次退火处理具有第二退火温度T<subgt;2</subgt;,第二次退火处理具有第二退火时间t<subgt;2</subgt;;满足:T<subgt;1</subgt;≥T<subgt;2</subgt;,t<subgt;2</subgt;>t<subgt;1</subgt;。本申请通过在硅片加工过程中对待处理的硅片进行两次退火处理,并控制第一次退火处理的温度大于或等于第二次退火处理的温度,第一次退火处理的时间小于第二次退火处理的时间,在氧含量差异不大的情况下,可以消除硅片头尾热历史的影响,可以将硅片的氧沉淀控制在一定范围内。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造,具体涉及一种硅片加工方法和硅片


技术介绍

1、随着目前集成电路朝大直径化、特征线宽减小化和高集成度化方向迅速发展,集成电路的生产工艺越来越复杂,一个成熟的互补金属氧化物半导体(complementary metaloxide semiconductor,cmos)生产工艺有几百个步骤,在硅片的后续加工中难免会引入金属沾污等杂质和缺陷,于是内吸杂工艺就显得尤为重要。内吸杂工艺主要依靠氧沉淀(bmd)来实现,具体作用有两个方面:一是氧沉淀作为杂质析出的核心;二是氧沉淀在硅晶格内引入应力场从而引起杂质快速扩散到氧沉淀周围,从而实现硅片表面金属杂质减少甚至没有的目的,大大提高器件质量。研究表明高温氩退火不仅能够有效地消除硅片近表面区域的原生缺陷,而且在内部能够形成氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,从而提高硅片质量。然而氧沉淀的生成是十分复杂的问题,不仅涉及单晶原生热历史、初始氧浓度,而且与单晶中空位浓度也有很大关系,bmd密度太高,有漏电风险,bmd密度太低,起不到吸杂的作用,这使得如何控制氧沉淀在一定范围内成为目前亟待解决的问题。

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【技术保护点】

1.一种硅片加工方法,其特征在于,用于加工待处理的硅片,所述硅片加工方法包括:

2.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,将所述硅片进行第一次退火处理包括:

3.根据权利要求2所述的硅片加工方法,其特征在于,在对所述硅片进行第一次退火处理之后,还包括:

4.根据权利要求3所述的硅片加工方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,将经过所述第一次退火处理的所述硅片进行第二次退火处理包括:

7.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种硅片加工方法,其特征在于,用于加工待处理的硅片,所述硅片加工方法包括:

2.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,将所述硅片进行第一次退火处理包括:

3.根据权利要求2所述的硅片加工方法,其特征在于,在对所述硅片进行第一次退火处理之后,还包括:

4.根据权利要求3所述的硅片加工方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,将经过所述第一次退火处理的所述硅片进行第二次退火处理包括:

7.根据权利要求1所述的硅片加工方法,其特征在于,在对所述硅片进行第二次退火处理之后,还包括:

8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈喜刚谢江华林涛刘茂曹锦伟谭永麟葛晗徐斯远
申请(专利权)人:中环领先半导体科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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