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本申请公开了一种硅片加工方法和硅片。该硅片加工方法，用于加工待处理的硅片，硅片加工方法包括：将硅片进行第一次退火处理，第一次退火处理具有第一退火温度T<subgt;1</subgt;，第一次退火处理具有第一退火时间t<su...
该专利属于中环领先半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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