烧结体用材料及烧结体制造技术

一种烧结体用材料，其含有用REaObFc(其中，RE为稀土类元素，b/a为0.9以下，c/a为1.1以上)表示的稀土类元素的氟氧化物，材料整体中的氟元素(F)的摩尔数相对于稀土类元素(RE)的摩尔数之比(F/RE摩尔比)为1.3以上且2.8以下，铝(Al)的含量为50质量ppm以下。硅(Si)的含量优选为500质量ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及包含稀土类元素的氟氧化物的烧结体用材料及烧结体。

技术介绍

1、y2o3等稀土类氧化物、yf3等稀土类元素的氟化物(以下，有时记载为“稀土类氟化物”。)及y5o4f7等稀土类元素的氟氧化物(以下有时记载为“稀土类氟氧化物”。)为具有耐蚀性的陶瓷，因此作为半导体制造工艺中的保护材料使用了其皮膜、烧结体。

2、尤其是包含稀土类氟氧化物的化合物，已知化学等离子体耐性高、能够缩短半导体制造装置的陈化时间。

3、在专利文献1中记载了，通过使用稀土类元素的氟氧化物，使用其喷镀颗粒而制作的喷镀膜对f系等离子体及cl系等离子体这两者显示出优异的耐蚀性，在等离子体蚀刻时通过蚀刻作用被削去而飞散的粒子减少。

4、另一方面，如专利文献2那样，还研究了通过使用比喷镀膜更致密的烧结体来提高阻断卤素系腐蚀气体的功能。

5、进而在专利文献3中，作为使用了包含稀土类元素的氟氧化物(ln-o-f)的颗粒的烧结用材料，记载了一种烧结用材料，其是包含含有稀土类元素的氟氧化物的颗粒的烧结用材料，振实法表观密度为特定范围，具有特定的粒径本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种烧结体用材料，其含有用REaObFc表示的稀土类元素的氟氧化物，其中，RE为稀土类元素，b/a为0.9以下，c/a为1.1以上，

2.根据权利要求1所述的烧结体用材料，其中，硅(Si)的含量为500质量ppm以下。

3.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其在使用压汞法而测定的细孔径分布中，

4.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其在XRD分析中，稀土类元素的氟氧化物以外中包含的结晶相实质上仅由用REF3表示的稀土类元素的氟化物构成。

5.根据权利要求3所述的烧结体用材料，其在XRD分析中，稀土类元素的氟氧化物以外中包含的结晶...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种烧结体用材料，其含有用reaobfc表示的稀土类元素的氟氧化物，其中，re为稀土类元素，b/a为0.9以下，c/a为1.1以上，

2.根据权利要求1所述的烧结体用材料，其中，硅(si)的含量为500质量ppm以下。

3.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其在使用压汞法而测定的细孔径分布中，

4.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其在xrd分析中，稀土类元素的氟氧化物以外中包含的结晶相实质上仅由用ref3表示的稀土类元素的氟化物构成。

5.根据权利要求3所述的烧结体用材料，其在xrd分析中，稀土类元素的氟氧化物以外中包含的结晶相实质上仅由用ref3表示的稀土类元素的氟化物构成。

6.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其中，reaobfc为选自re7o6f9、re6o5f8、re5o4f7、re4o3f6、re3o2f5及re2of4中的至少一种。

7.根据权利要求1或2所述的烧结体用材料，其中，稀土类元素的氟氧化物的稀土类元素re为选自sc、y、la、...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓贤人，重吉勇二，深川直树，
申请(专利权)人：日本钇股份有限公司，
类型：发明
国别省市：