成膜用或烧结用粉末制造技术

本发明专利技术的成膜用或烧结用粉末在X射线衍射测定中观察到立方晶Y3Al5O

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜用或烧结用粉末


[0001]本专利技术涉及成膜用或烧结用粉末。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造中的蚀刻工序中使用了卤素系气体、氩气、氧气等。为了防止因这些气体而引起的蚀刻装置的腐蚀，蚀刻装置的内部一般通过喷镀耐蚀性高的物质而被涂敷。作为那样的高耐蚀性物质之一，已知有包含钇
·
铝
·
石榴石(YAG)等钇和铝的复合氧化物的材料。
[0003]例如在专利文献1中记载了一种喷镀用粉末，其中，在测定喷镀用粉末的X射线衍射时，来源于氧化钇的(222)面的X射线衍射峰的强度相对于来源于复合氧化物中的石榴石相的(420)面的X射线衍射峰、来源于复合氧化物中的钙钛矿相的(420)面的X射线衍射峰、来源于复合氧化物中的单斜晶相的(
‑
122)面的X射线衍射峰中的最大峰的强度的比率为20％以下。
[0004]在专利文献2中记载了一种喷镀用粉末，其特征在于，其是含有将包含钇及铝的原料粉末进行造粒及烧结而得到的钇
‑
铝复合氧化物造粒
‑/>烧结粒子的喷镀用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成膜用或烧结用粉末，其中，在X射线衍射测定中观察到立方晶Y3Al5O
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的峰和斜方晶YAlO3的峰，斜方晶YAlO3的(112)峰相对于立方晶Y3Al5O
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的(420)峰的强度比为0.01以上且低于1。2.根据权利要求1所述的成膜用或烧结用粉末，其中，在X射线衍射测定中进一步观察到立方晶Y2O3的峰，立方晶Y2O3的(222)峰相对于立方晶Y3Al5O
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的(420)峰的强度比为0.001以上且低于0.1。3.根据权利要求1或2所述的成膜用或烧结用粉末，其中，三方晶Al2O3的(104)峰相对于立方晶Y3Al5O
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的(420)峰的强度比低于0.1。4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜用或烧结用粉末，其中，在X射线衍射测定中由Y3Al5O
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的(420)峰的半值宽度求出的微晶尺寸为50nm以上。5.一种成膜用或烧结用粉末，其由钇及铝的复合氧化物制成，在使用汞压入法而测定得到的细孔径为0.1μm～1μm的范围内具有峰，并且细孔径为0.1μm～1μm的细孔容积为0.16mL/g以上。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：松仓贤人，森内诚治，
申请(专利权)人：日本钇股份有限公司，
类型：发明
国别省市：