烧结体制造技术

本发明专利技术提供一种烧结体，其是具有至少含有稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体，在L*a*b*色度表示中，L*值为70以上。晶粒的平均粒径优选为10μm以下。还优选相对密度为95％以上。还优选三点弯曲强度为100MPa以上。还优选不含氧、或者在包含氧的情况下氧含量为13质量％以下。还优选上述化合物为稀土类元素的氟化物或氟氧化物。氟氧化物。氟氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】烧结体


[0001]本专利技术涉及具有包含稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，干式蚀刻装置等在含卤素系气体的环境下使用的构件因与卤素系气体接触而劣化，劣化物飞散而作为颗粒附着在半导体上，使半导体的成品率下降。作为相对于卤素系气体具有一定的耐蚀性的材料，将含有稀土类元素及氟的化合物作为对半导体装置的构件的表面进行喷镀的材料来使用(专利文献1)；或者作为构成半导体装置的烧结体来使用(专利文献2)。在专利文献2中，记载了含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体比含有稀土类元素及氟的化合物的喷镀膜致密，适宜作为半导体制造装置的构成构件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：US2015/0096462A1
[0006]专利文献2：US2017/0305796A1

技术实现思路

[0007]但是，含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体关于相对于卤素系等离子体的耐蚀性，仍然存在改善的余地。
[0008]因此，本专利技术的课题在于提供一种烧结体，其是含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体，且其与以往相比相对于卤素系等离子体的耐蚀性优异。
[0009]本专利技术人对用于提高相对于卤素系等离子体的耐蚀性的含有稀土类元素及氟的化合物的烧结体的构成进行了深入研究。其结果发现：就该化合物的烧结体而言，通过提高白色度，能够有效地提高相对于卤素系等离子体的耐蚀性。
[0010]本专利技术提供一种烧结体，其是至少具有含有稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体，在L*a*b*色度表示中，L*值为70以上。
附图说明
[0011]图1是实施例1中得到的烧结体的扫描型电子显微镜图像。
[0012]图2是比较例1中得到的烧结体的扫描型电子显微镜图像。
具体实施方式
[0013]以下，基于其优选的实施方式对本专利技术进行说明。
[0014](1)本专利技术的烧结体的组成
[0015]本专利技术的烧结体的特征之一在于，其具有含有稀土类元素及氟的化合物(以下，也简称为“含有Ln及F的化合物”)的相。
[0016]作为稀土类元素(Ln)，可列举出钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、
钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)这16种元素。包含Ln及F的化合物包含这16种稀土类元素中的至少1种。从更进一步提高烧结体的耐热性、耐磨性及耐蚀性等的观点出发，在这些元素中，优选使用选自钇(Y)、铈(Ce)、钐(Sm)、钆(Gd)、镝(Dy)、铒(Er)及镱(Yb)中的至少1种元素，尤其优选使用钇(Y)。
[0017]作为含有Ln及F的化合物，优选可列举出稀土类元素的氟化物和/或稀土类元素的氟氧化物。从提高烧结体的相对于卤素系等离子体的耐蚀性的方面出发，含有Ln及F的化合物优选包含含有Ln、F及O的化合物，特别优选为稀土类元素的氟氧化物、或稀土类元素的氟氧化物及稀土类元素的氟化物。
[0018]稀土类元素的氟化物优选以LnF3表示。
[0019]稀土类元素的氟氧化物(以下也记载为“Ln
‑
O
‑
F”)为由稀土类元素(Ln)、氧(O)、氟(F)形成的化合物。作为Ln
‑
O
‑
F，可以是稀土类元素(Ln)、氧(O)、氟(F)的摩尔比为Ln：O：F＝1：1：1的化合物(LnOF)，也可以是其他形态的稀土类元素的氟氧化物(Ln5O4F7、Ln7O6F9、Ln4O3F6等)。从更高地发挥氟氧化物的易制造性或耐蚀性高这样的本专利技术的效果的观点出发，Ln
‑
O
‑
F优选以LnO
x
F
y
(0.3≤x≤1.7、0.1≤y≤1.9)表示。特别是从上述的观点出发，在上述式中，更优选为0.35≤x≤1.65，进一步优选为0.4≤x≤1.6。另外，更优选为0.2≤y≤1.8，进一步优选为0.5≤y≤1.5。另外，在上述式中，还优选满足2.3≤2x+y≤5.3、特别是2.35≤2x+y≤5.1的化合物，尤其优选满足2x+y＝3的化合物。
[0020]本专利技术的烧结体优选包含含有Ln及F的化合物的相，进一步优选包含含有Ln、F及O的化合物的相。烧结体包含含有Ln及F的化合物的相、及包含含有Ln、F及O的化合物的相(例如Ln
‑
O
‑
F的相)可以通过X射线衍射测定来确认。
[0021]从提高相对于卤素系等离子体的耐蚀性的观点出发，本专利技术的烧结体优选以含有Ln及F的化合物的相作为主相。所谓主相是指来源于在使用了Cu
‑
Kα射线或Cu
‑
Kα1射线的X射线衍射测定中在2θ＝10～90度观察到的全部的峰中峰高度最高的物质的相。因此，本专利技术的烧结体以含有Ln及F的化合物的相作为主相可以通过在使用了Cu
‑
Kα射线或Cu
‑
Kα1射线的X射线衍射测定中，在2θ＝10～90度的范围内观察到的全部的峰中峰高度最高的峰为包含Ln及F的化合物的峰来确认。例如，本专利技术的烧结体以含有Ln、F及O的化合物的相(例如Ln
‑
O
‑
F的相)作为主相可以通过在使用了Cu
‑
Kα射线或Cu
‑
Kα1射线的X射线衍射测定中，在2θ＝10～90度的范围内观察到的全部的峰中峰高度最高的峰为含有Ln、F及O的化合物(例如Ln
‑
O
‑
F的相)的峰来确认。本专利技术的烧结体特别优选以含有Ln、F及O的化合物的相作为主相，最优选以Ln
‑
O
‑
F的相作为主相。在以含有Ln、F及O的化合物的相作为主相的情况下，可以具有其他的晶体相，也可以不具有，但在具有的情况下，优选以LnF3的相作为副相。
[0022]从更进一步提高上述的耐蚀性的观点出发，本专利技术的烧结体在使用了Cu
‑
Kα射线或Cu
‑
Kα1射线的2θ＝10～90度的X射线衍射测定中，相对于来源于含有Ln及F的化合物的主峰，来源于含有Ln及F的化合物以外的成分的最大高度的峰的峰高度优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步更优选为3％以下，最优选观察不到来源于含有Ln及F的化合物以外的成分的峰。峰高度的单位为cps。
[0023]上述的事项只要通过仅使用了Cu
‑
Kα射线及Cu
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Kα1射线中的任一者的X射线衍射测定符合即可，并不意味着在使用了Cu
‑
Kα射线及Cu
‑
Kα1射线这两者的X射线衍射测定中符合。本专利技术中使用的X射线衍射测定根据粉末X射线衍射测定法。
[0024]本专利技术的烧结体优选具有稀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种烧结体，其是具有至少含有稀土类元素和氟的化合物的相的烧结体，在L*a*b*色度表示中，L*值为70以上。2.根据权利要求1所述的烧结体，其中，晶粒的平均粒径为10μm以下。3.根据权利要求1或2所述的烧结体，其中，相对密度为95％以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的烧结体，其中，三点弯曲强度为100MPa以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的烧结体，其中，不含氧，或者在包含氧的情况下氧含量为13质量％以下。6.根据权利要求1～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口靖英，深川直树，
申请(专利权)人：日本钇股份有限公司，
类型：发明
国别省市：