【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、选择性钝化接触技术对特定载流子的通过具有明显的选择性，允许其中一种载流子有效地通过，而对另一种载流子具有屏蔽作用，极大程度地减少了两种载流子的复合，能有效提高太阳能电池器件的光电转换效率。目前典型的选择性钝化接触太阳能电池包括两种，一种是隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(tunnel oxide passivated contact，topcon)，另一种是异质结太阳能电池(hetero-junction with intrinsic thin-layer，hit)。这两种电池结构都是双面电极结构，正面的遮光无法避免。将叉指背接触电池技术(interdigitated back contact，ibc)与topcon或者hjt技术融合的tbc(tunnel oxideback contact)或者hbc(hetero-junction back contact)技术进一步减少了ibc背面金属的复合。
2、传统的hbc电池结构的背面n区和p区分别采...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂晶硅层、所述第二掺杂晶硅层均为N型掺杂晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层均为P型掺杂非晶硅层，或所述第一掺杂微晶硅层、所述第二掺杂微晶硅层均为P型掺杂微晶硅层；
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1nm-4nm；
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层、所述第二隧穿氧化层和所述第三隧穿氧化层各自独立地包括隧穿SiOx层；
...【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂晶硅层、所述第二掺杂晶硅层均为n型掺杂晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层均为p型掺杂非晶硅层，或所述第一掺杂微晶硅层、所述第二掺杂微晶硅层均为p型掺杂微晶硅层；
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1nm-4nm；
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿氧化层、所述第二隧穿氧化层和所述第三隧穿氧化层各自独立地包括隧穿siox层；
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述交错叠置区域与所述半导体基底的沿所述第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员：李云朋，叶枫，朱琳，赵生梁，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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