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本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：具有第一面和第二面的半导体基底，第一面包括第一区域、交错叠置区域和第二区域；第一面依次设有第二隧穿氧化层和第一掺杂晶硅层，第二面依次设有第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层或第一...
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