氮化物基半导体器件及其制造方法技术

一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层和掺杂的氮化物基半导体层。第二氮化物基半导体层具有彼此分离的多个凹陷部分和沿第一方向交替布置的多个平坦部分。掺杂的氮化物基半导体层共形地覆盖第二氮化物基半导体层，并具有多个第一部分和多个第二部分。第一部分分别覆盖凹陷部分，第二部分分别覆盖平坦部分。掺杂的氮化物基半导体层在穿过其第一部分的氮化物基半导体器件的第一垂直截面图中具有第一轮廓。掺杂的氮化物基半导体层在穿过其第二部分的第二垂直截面图中具有第二轮廓。第二轮廓不同于第一轮廓。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

一般地，本专利技术涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本专利技术涉及具有掺杂的氮化物基半导体层的氮化物基半导体器件，该掺杂的氮化物基半导体层在氮化物基半导体器件的不同垂直截面图中具有不同的轮廓。

技术介绍

1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，以满足高功率/频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件的例子还包括异质结双极晶体管(hbt)，异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。

技术实现思路

1、在一个方面，本专利技术提供了一种氮化物基半导体器件。该氮化物基半导体器件包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层和掺杂的氮化物基半导体层。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，并且具有比第一氮化物基半导体层大的带隙，从而形成异质结和与异质结相邻的二维电子气(2deg)区域。第二氮化物基半导体层具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化物基半导体器件，包括：

2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二氮化物基半导体层的所述凹陷部分沿不同于所述第一方向的第二方向延伸。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二氮化物基半导体层的所述凹陷部分沿所述第一方向以相等间隔布置。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在所述氮化物基半导体器件的俯视图中，至少一个所述凹陷部分的轮廓具有弯曲边缘或直边缘。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在所述氮化物基半导体器...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种氮化物基半导体器件，包括：

2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二氮化物基半导体层的所述凹陷部分沿不同于所述第一方向的第二方向延伸。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二氮化物基半导体层的所述凹陷部分沿所述第一方向以相等间隔布置。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在所述氮化物基半导体器件的俯视图中，至少一个所述凹陷部分的轮廓具有弯曲边缘或直边缘。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在所述氮化物基半导体器件的俯视图中，至少一个所述凹陷部分具有宽度逐渐变化的轮廓。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述掺杂的氮化物基半导体层的所述第一部分分别由所述凹陷部分限制。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一部分的顶表面低于所述第二部分的顶表面。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中至少一个所述凹陷部分具有至少一个倾斜侧表面。

9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述掺杂的氮化物基半导体层的所述第一轮廓是具有可变宽度的轮廓。

10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述掺杂的氮化物基半导体层的所述第二轮廓为矩形轮廓。

11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在包括所述第一方向的所述氮化物基半导体器件的第三垂直截面图中，其中所述平坦部分被所述掺杂的氮化物基半导体层包围，使得所述平坦部分的侧表面和顶表面与所述掺杂的氮化物基半导体层接触。

12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：