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一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层和掺杂的氮化物基半导体层。第二氮化物基半导体层具有彼此分离的多个凹陷部分和沿第一方向交替布置的多个平坦部分。掺杂的氮化物基半导体层共形地覆盖第二氮化物基半导体层，并具有多...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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