高灵敏磁敏材料制造技术

本发明专利技术涉及一种磁敏材料，特别是一种高灵敏磁敏材料。含有Ｆｅ并含有Ｃｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ中的一种或多种组分的合金，其特征在于：外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。因纳米晶结构，具有纵向易磁化和纵向高磁导率的优点，而非晶结构，具有垂直于纵向的环向易磁化和环向高磁导率的优点。两者的结合，不仅能大大提高阻抗变化率和磁场灵敏度，大大提高在微弱磁场的磁场灵敏度，而且还具有低灵敏响应临界磁场（其灵敏响应磁场可以小于５Ａ／ｍ）、可以在无需偏置场的情况下对微弱磁场敏感、降低磁敏传感器的功耗、成本低廉等优点，是一种性价比高的高灵敏磁敏材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁敏材料，特别是一种高灵敏磁敏材料。
技术介绍
现有的磁敏材料磁场灵敏度一般在102%/0e (10、/A m—0，而且 在小于10e的弱磁场下，其灵敏度更低。虽然这样的灵敏度相比传统 材料已有明显的优势，但是，当今科技发展迫切需要更高的灵敏度， 特别是对近零微弱外磁场具有高灵敏响应的磁敏新材料问世。另外， 当前性能相对较好的材料，大多以Co为主要组分，Co是战略控制物 资，价格昂贵。如申请号为200710301957. X、公开号为CN 101236817A 的中华人民共和国专利。所以，面对日益提高的科技发展新需求，现 有的磁敏材料阻抗变化率和磁场灵敏度都不够高，特别是在微弱磁场 的磁场灵敏度极低；而且成本高，性价比低。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术的目的是提供一种阻抗变化率和磁场灵敏 度高、尤其是在微弱磁场的磁场灵敏度也很高的磁敏材料。一种高灵敏磁敏材料，含有Fe并含有Co、 B、 Si、 Nb、 V、 Mn、 Cii、 Ni和Zr中的一种或多种组分的合金，其特征在于外表层为非 晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。本专利技术的目的是通过外表层为非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高灵敏磁敏材料，包括Ｆｅ，并含有Ｃｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｚｒ中的一种或多种组分的合金，其特征在于：外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。

【技术特征摘要】
1、一种高灵敏磁敏材料，包括Fe，并含有Co、B、Si、Nb、V、Mn、Cu、Ni和Zr中的一种或多种组分的合金，其特征在于外表层为非晶壳层，内部为纳米晶内芯的复合结构材料。2、 根据权利要求1所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于含有原 子比为10 88%的Fe。3、 根据权利要求2所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于含有原 子比为30 50%的Fe和20 40 %的Co;优选的原子比为35 45%的 Fe禾口 30 40 %的Co。4、 根据权利要求1、 2或3所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于 至少含有B、 Si、 Nb、 V、 Mn、 Cu、 Ni和Zr中的三种组分。5、 根据权利要求4所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于该高灵敏磁敏材料为细丝或薄带。6、 根据权利要求5所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于细丝的 横截面为圆形、椭圆形、半圆形或半椭圆形，薄带的横截面为矩形或 圆角矩形。7、 根据权利要求6所述的高灵敏磁敏材料，其特征在于横截面 为圆形或椭圆形细丝的高灵敏磁敏材料的直径为30 120微米，优选 为30 80微米，更优选为40 50微米；横截面为半圆形或半椭圆形 细丝的...

【专利技术属性】
技术研发人员：方允樟，郑金菊，吴锋民，许启明，满其奎，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]