一种紧耦合阵列天线制造技术

本发明专利技术公开了一种紧耦合阵列天线，所述紧耦合阵列天线由若干天线单元组阵构成；所述天线单元包括两个+45°极化合成单元和两个‑45°极合成化单元，两个+45°极化合成单元和两个‑45°极合成化单元首尾相接组成二维紧耦合天线阵列；且，所述+45°极化合成单元包括两个相邻的+45°极化基础单元，所述+45°极化基础单元包括+45°极化辐射体；所述‑45°极化合成单元包括两个相邻的‑45°极化基础单元；所述‑45°极化基础单元包括‑45°极化辐射体。本发明专利技术通过基础天线单元二合一成为单通道合成单元的设计与双斜极化布阵相结合的方式，有效降低基础单元之间的耦合方向上的间距进一步增大耦合量展宽带宽，同时避免水平、垂直方向扫描间距的较大增加，有效降低天线通道数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于阵列天线设计，尤其涉及一种紧耦合阵列天线。

技术介绍

1、一种超宽带斜45度极化紧耦合阵列天线，中国专利，专利号：cn202210170726.4，公开日期：2022年2月24号

2、该专利技术专利公开了一种超宽带斜45度极化紧耦合阵列天线，主要解决现有技术天线频带较窄的问题。其中每个天线阵元由正交放置的水平极化和垂直极化偶极子天线组成，偶极子天线包括辐射单元及馈电单元。与常规紧耦合天线不同的是，每个相邻的水平垂直紧耦合振子之间采用一分二等功分网络合成为斜45°极化。这一阵列架构，能够使得纯水平极化与垂直极化单元之间的单元间距相较于合成单元间距更小，并且合成单元水平面、垂直面扫描间距也相应变小，这样能够加强天线单元之间的耦合实现紧耦合天线带宽的进一步拓展，与此同时能够避免直接在水平、垂直单元上进行馈电时天线单元尺寸较小导致后端组件集成困难的问题。

3、然而，上述将垂直极化单元与水平极化单元用一分二等幅同相功分网络合成的方式，将水平极化单元与垂直极化单元合成为一个单一极化状态的单元，无法实现天线阵列的双极化设计。这一设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紧耦合阵列天线，其特征在于，所述紧耦合阵列天线由若干天线单元组阵构成；

2.如权利要求1所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述+45°极化合成单元中两+45°极化辐射体(1)经第一金属耦合片(2)耦合，且两+45°极化辐射体(1)分别经第一馈电平行双线结构(6)与第一二合一功分网络(7)相连。

3.如权利要求2所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述+45°极化辐射体(1)设置于天线介质基板(5)的中间层，所述第一金属耦合片(2)印制于天线介质基板(5)顶侧。

4.如权利要求3所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述天线介质基板(5)为双层基板压合...

【技术特征摘要】

1.一种紧耦合阵列天线，其特征在于，所述紧耦合阵列天线由若干天线单元组阵构成；

2.如权利要求1所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述+45°极化合成单元中两+45°极化辐射体(1)经第一金属耦合片(2)耦合，且两+45°极化辐射体(1)分别经第一馈电平行双线结构(6)与第一二合一功分网络(7)相连。

3.如权利要求2所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述+45°极化辐射体(1)设置于天线介质基板(5)的中间层，所述第一金属耦合片(2)印制于天线介质基板(5)顶侧。

4.如权利要求3所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述天线介质基板(5)为双层基板压合构成，所述两+45°极化辐射体(1)设置于两基板之间。

5.如权利要求3所述的紧耦合阵列天线，其特征在于，所述第一二合一功分网络(7)印制于天线底层介质基板(10)之上，所述第一馈电平行双线结构(6)印制于天线介质基板(5)的底侧。

6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，李学仕，张正鸿，杨舒旸，马淮海，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：