【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造设备，特别涉及一种低压化学气相沉积设备及半导体制造系统。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺是一种用于制造半导体薄膜常用的手段，化学气相沉积工艺可以用于沉积各种类型的材料，包括绝缘体、半导体和导体。化学气相沉积工艺所用到的化学气相沉积设备的种类繁杂，最主要包括常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapor deposition，apcvd)设备、低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)设备和等离子增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)设备。
2、低压化学气相沉积设备包括控制设备以及反应设备，所述控制设备和所述反应设备连接并控制所述反应设备的工作。所述反应设备主要包括反应腔室，设置在所述反应腔室一侧的进气管路以及设置在所述反应腔室另一侧的出气管路。其中，所述出气管路上设置有监控表、隔离泵以及自动阀门(auto gate valve，agv)，所述监控表用于监测所述出气管路的状态并上报给所述控制设备，所述隔离泵用于所述反应腔室的真空隔离以在所述反应腔室中形成真空环境，所述自动阀门具有开启(open)和关闭(close)两种状态。
3、现有的低压化学气相沉积设备容易发生意外故障，导致生产效率的降低、生产成本的增加。
技术实现
1、本技术的目的在于提供一种低压化学气相沉积设备及半导体制造系统，以解决现有的低压化学气相沉积设备容易发生意外故障的问题。
2、为了解决上述技术问题，本技术提供一种低压化学气相沉积设备，所述低压化学气相沉积设备包括：反应设备以及与所述反应设备连接的控制设备；
3、所述反应设备包括反应腔室，设置在所述反应腔室第一侧的进气管路以及设置在所述反应腔室第二侧的出气管路；所述出气管路上设置有自动阀门，所述自动阀门和所述控制设备连接。
4、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述自动阀门上设置有传感器，所述传感器和所述控制设备连接。
5、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述传感器通过数据线和所述控制设备的空闲端口连接。
6、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述传感器为二值传感器。
7、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述自动阀门上设置有控制开关，所述控制开关控制所述自动阀门的开启和关闭，所述控制开关和所述控制设备连接。
8、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述控制开关通过数据线和所述控制设备的空闲端口连接。
9、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述反应设备还包括设置在所述出气管路上的监控表，所述监控表和所述控制设备连接。
10、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述反应设备还包括设置在所述出气管路上的隔离泵。
11、可选的，在所述的低压化学气相沉积设备中，所述低压化学气相沉积设备还包括报警器，所述报警器和所述控制设备连接。
12、本技术还提供一种半导体制造系统，所述半导体制造系统包括计算机集成制造系统以及如上所述的低压化学气相沉积设备，所述低压化学气相沉积设备和所述计算机集成制造系统连接。
13、专利技术人研究发现，现有的低压化学气相沉积设备容易发生意外故障的原因在于，自动阀门独立于控制设备之外，控制设备无法获取自动阀门处于开启还是关闭状态，在反应设备的运行过程中，所述自动阀门应处于开启状态，若此时自动阀门并未处于开启状态，而所述反应设备仍旧处于运行过程中，则所述低压化学气相沉积设备便会容易发生意外故障。
14、在本技术提供的低压化学气相沉积设备及半导体制造系统中，自动阀门和控制设备连接，由此便可以将所述自动阀门的状态纳入所述控制设备的监控中，从而使得反应设备的工作状态能够和自动阀门的状态相匹配，避免由于两者状态不匹配引起的意外故障，从而可以提高生产效率、降低生产成本。
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1.一种低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述低压化学气相沉积设备包括：反应设备以及与所述反应设备连接的控制设备；
2.如权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述自动阀门上设置有传感器，所述传感器和所述控制设备连接。
3.如权利要求2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述传感器通过数据线和所述控制设备的空闲端口连接。
4.如权利要求2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述传感器为二值传感器。
5.如权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述自动阀门上设置有控制开关，所述控制开关控制所述自动阀门的开启和关闭，所述控制开关和所述控制设备连接。
6.如权利要求5所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述控制开关通过数据线和所述控制设备的空闲端口连接。
7.如权利要求1～6中任一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述反应设备还包括设置在所述出气管路上的监控表，所述监控表和所述控制设备连接。
8.如权利要求1～6中任一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，
9.如权利要求1～6中任一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述低压化学气相沉积设备还包括报警器，所述报警器和所述控制设备连接。
10.一种半导体制造系统，其特征在于，所述半导体制造系统包括计算机集成制造系统以及如权利要求1～9中任一项所述的低压化学气相沉积设备，所述低压化学气相沉积设备和所述计算机集成制造系统连接。
...【技术特征摘要】
1.一种低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述低压化学气相沉积设备包括：反应设备以及与所述反应设备连接的控制设备；
2.如权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述自动阀门上设置有传感器，所述传感器和所述控制设备连接。
3.如权利要求2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述传感器通过数据线和所述控制设备的空闲端口连接。
4.如权利要求2所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述传感器为二值传感器。
5.如权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述自动阀门上设置有控制开关，所述控制开关控制所述自动阀门的开启和关闭，所述控制开关和所述控制设备连接。
6.如权利要求5所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王歆，张昊，靳威，
申请(专利权)人：荣芯半导体淮安有限公司，
类型：新型
国别省市：
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