反射式DOE衍射元件及激光加工设备制造技术

本发明专利技术属于激光加工领域，涉及一种反射式DOE衍射元件及激光加工设备，该激光加工设备包括激光器、扩束镜、聚焦镜以及如前所记载的反射式DOE衍射元件；扩束镜、反射式DOE衍射元件以及聚焦镜自前而后依次设置在激光器的出射光路上。本发明专利技术提供了一种制作方便以及无需额外固定及调节部件的反射式DOE衍射元件及激光加工设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光加工领域，涉及一种衍射元件，尤其涉及一种反射式doe衍射元件及激光加工设备。

技术介绍

1、衍射光学元件(diffractive optical element，doe)是近几年蓬勃发展的新兴光学元件。doe通常采用微纳刻蚀工艺构成二维分布的衍射单元，每个衍射单元可以有特定的形貌、折射率等，对激光波前位相分布进行精细调控。激光经过每个衍射单元后发生衍射，并在一定距离(通常为无穷远或透镜焦平面)处产生干涉，形成特定的光强分布。根据不同的用途，doe通常可以分为光束整形、分束、结构光、多焦、其他特殊光束产生等种类；每种品类有不同的原理、设计和应用特点。现有的doe大多都是透射式的结构也有反射式的结构。然而，透射式doe在用到激光加工光路需要专门设计结构来进行固定及调节。而当前的反射式doe的加工并不能使用于大功率激光器加工应用中，需要更改镀膜层来使用。

技术实现思路

1、为了解决
技术介绍
中存在的上述技术问题，本专利技术提供了一种制作方便以及无需额外固定及调节部件的反射式doe衍射元件及激光加工设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反射式DOE衍射元件的制备方法，其特征在于：所述反射式DOE衍射元件的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的反射式DOE衍射元件的制备方法，其特征在于：所述多晶硅层的生长厚度a是1μm。

3.根据权利要求2所述的反射式DOE衍射元件的制备方法，其特征在于：所述深度b是250nm±40nm。

4.一种基于如权利要求1或2或3所述的反射式DOE衍射元件的制备方法制备得到的反射式DOE衍射元件。

5.一种激光加工设备，其特征在于：所述激光加工设备包括激光器、扩束镜、聚焦镜以及如权利要求4制备得到的反射式DOE衍射元件；所述扩束镜...

【技术特征摘要】

1.一种反射式doe衍射元件的制备方法，其特征在于：所述反射式doe衍射元件的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的反射式doe衍射元件的制备方法，其特征在于：所述多晶硅层的生长厚度a是1μm。

3.根据权利要求2所述的反射式doe衍射元件的制备方法，其特征在于：所述深度b是250nm±40nm。

4.一种基于如权利要求1或2或3所述的反射式doe衍射元件的制备方法制备得到的反射式doe衍射元件。

5.一种激光加工设备，其特征在于：所述激光加工设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：林喜泓，王自，林明明，韩冰，康伟，王博，杨小君，朱文宇，
申请(专利权)人：西安中科微精光子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：