一种GaAs晶片的抛光组合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种环保高效的GaAs晶片的抛光组合物，所述抛光组合物由以下重量百分比的原料组成：抛光剂磨料0.8%‑40%；碱性化合物0.01%‑10%；氧化剂1%‑25%；氧化稳定剂0.001%‑0.5%；表面活性剂0.001%‑1%；余量为去离子水，此抛光组合物的pH值为7.5‑9.1。本发明专利技术抛光组合物采用绿色环保的氧化剂，解决了含次氯酸钠类氧化剂抛光液长期使用对人体的损害和环境污染问题；同时，在pH7.5‑9.0和氧化稳定剂的配合下，使抛光组合物具有高的材料移除速率，对设备和环境友好等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料的化学机械抛光，具体涉及一种环保高效的gaas晶片的抛光组合物及其制备方法和应用。

技术介绍

1、砷化镓（gaas）材料是继硅单晶之后第二代新型化合物半导体中最重要、用途最广泛的材料之一，是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。砷化镓材料具有禁带宽度大（1.43ev，硅为1.1ev）、高电子迁移速率（是硅的5-6倍）、直接带隙、消耗功率低和高电光转化效率等特性，广泛应用于超高速、超高频器件和集成电路等微电子领域，同时在发光二极管、激光器、光探测器等光电子领域也发挥着重要作用。

2、砷化镓晶片表面平坦化后的精度是应用的关键，随着器件尺寸的小型化趋势，必然对砷化镓晶片的表面质量要求越来越高。但砷化镓材料本身脆性大、缺陷多、易解理，因此给砷化镓晶片加工带来了很大困难。化学机械方法（cmp）是高精密光学器件和集成电路制造的关键通用技术，方法成熟且成本较低。cmp是利用磨料和抛光垫子的机械作用及化学药液的腐蚀作用对晶片表面进行抛光，实现晶片表面的超精密加工。

3、抛光液是不可或缺的cmp耗材之一，gaas抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaAs晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物包含下述重量百分比的原料：

2.如权利要求1所述GaAs晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光剂磨料为氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锰、氧化镁、氧化锌中的一种或者多种。

3.如权利要求2所述GaAs晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光剂磨料为粒径5-150nm的硅溶胶。

4.如权利要求1所述GaAs晶片的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物为无机碱性化合物和/或有机含氮碱性化合物。

5.如权利要求4所述GaAs晶片的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物为氨水、氢氧化物、碳酸盐、...

【技术特征摘要】

1.一种gaas晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物包含下述重量百分比的原料：

2.如权利要求1所述gaas晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光剂磨料为氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锰、氧化镁、氧化锌中的一种或者多种。

3.如权利要求2所述gaas晶片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光剂磨料为粒径5-150nm的硅溶胶。

4.如权利要求1所述gaas晶片的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物为无机碱性化合物和/或有机含氮碱性化合物。

5.如权利要求4所述gaas晶片的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物为氨水、氢氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、脂肪胺、多胺、氮杂环化合物、醇胺化合物、碱性氨基酸中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏莹，孟汝浩，李俊锋，代克，李鑫，徐明艳，任津池，
申请(专利权)人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：