【技术实现步骤摘要】
本申请涉及计算机，具体而言，本申请涉及一种掩膜图形修正方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着集成电路(integrated circuit，ic)、平板显示器(flat panel display，fpd)、印刷电路板(printed circuit boards，pcb)、微机电系统(micro electromechanical systems，mems)的应用愈加广泛，承载集成电路、印刷电路的芯片的加工及制造技术也在逐步发展。然而，在芯片的加工及制造过程中，仍存在一些问题，例如，光学临近效应的影响使得芯片质量有所下降。
2、其中，光学临近效应是在曝光过程中由于掩膜版上相邻图形之间存在衍射和干涉，使得投影到产品基板上的图形和掩膜版上的图形(掩膜版上的图形即掩膜图形)不一致。这种图形的不一致包括：线条宽度变窄、窄线条短点收缩、图形拐角处变圆滑等；并且，随着线宽尺寸的不断微缩，这种效应会愈发严重。
3、在相关技术中，如何修正掩膜图形、降低光学临近效应的影响，已成为亟待解决的问题。
<...【技术保护点】
1.一种掩膜图形修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述对所述原始掩膜图形进行第一修正处理之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述对所述原始掩膜图形进行第一修正处理，得到初始修正图形，包括：
4.根据权利要求3所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，对所述原始线条参数的线长参数、线宽参数、角度参数进行第一修正处理，得到与所述参考线条参数对应的初始修正图形，包括：
5.根据权利要求1所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述基于所述初始修正...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜图形修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述对所述原始掩膜图形进行第一修正处理之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述对所述原始掩膜图形进行第一修正处理，得到初始修正图形，包括：
4.根据权利要求3所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，对所述原始线条参数的线长参数、线宽参数、角度参数进行第一修正处理，得到与所述参考线条参数对应的初始修正图形，包括：
5.根据权利要求1所述的掩膜图形修正方法，其特征在于，所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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