半导体工艺用抛光组合物及基板的制造方法技术

根据本说明书的一实施例的半导体工艺用抛光组合物包括磨料颗粒。磨料颗粒根据下述第一式的Ds值为700nm2至1400nm2。[第一式]Ds＝MPS2‑D102。在上述第一式中，上述MPS为上述磨料颗粒的初级颗粒的平均粒径(Mean particle size)。上述D10为上述磨料颗粒的初级颗粒的粒度分布累积曲线中10％处的粒径。当将上述半导体工艺用抛光组合物应用于CMP工艺时，可以有效地抑制在待抛光基板的表面上形成因磨料颗粒导致的缺陷，并且可以表现出稳定的抛光特性。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及一种半导体工艺用抛光组合物基板的制造方法等。

技术介绍

1、随着半导体器件变得更加细微化和高密度化，正在使用更精细的图案形成技术，相应地，半导体器件的表面结构也变得更加复杂，层间膜的高度差也越来越大。在制造半导体器件时，作为用于去除形成在基板上的特定膜的高度差的平坦化技术，使用化学机械抛光(chemical mechanical polishing，以下称为“cmp”)工艺。

2、在cmp工艺中，将浆料供应到抛光垫，在加压、旋转基板的同时抛光表面。待平坦化的对象根据工艺步骤而不同，此时所应用的浆料的物理性能也存在差异。

3、至于在形成金属布线之后的抛光，需要在使凹陷或腐蚀等最小化的同时保持足够的抛光率和抛光速度。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1韩国授权专利第10-0341141号

7、专利文献2韩国授权专利第10-2291196号

8、专利文献3韩国授权专利第10-1406762号

技术实现思路</b>

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【技术保护点】

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

>9.根据权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：韩德洙，金桓铁，洪承哲，朴韩址，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：

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