用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带及其用途制造技术

技术编号:42454997 阅读:40 留言:0更新日期:2024-08-21 12:45
本发明专利技术提供一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带及其用途,该环保型剥膜胶带从下至上依次设置有PET离型保护层、热熔胶层和PET基材层,其中,热熔胶层为共聚酰胺型热熔胶,共聚酰胺型热熔胶具有表干好、方便再定位、内聚强度高等特点,通过设置热熔胶层代替传统的溶剂型压敏胶,避免了生产、制造和使用过程中有机溶剂等挥发气体释放,环境更友好,且能够方便机械手操作,能在晶圆表面快速撕开再定位,同时在再定位过程中不会因撕开应力导致晶圆内部产生裂纹,保证良率;对于不同的晶圆切割保护膜基材,选用合适的热熔胶,对PET、PVC和聚烯烃等低表面能晶圆切割保护膜基材剥离强度更高,剥离力更稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工专用胶带,尤其涉及一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带及其用途


技术介绍

1、作为芯片生产制程最关键的耗材之一,半导体晶圆制程专用功能性环保剥膜胶带开发和生产制造技术长期为日本厂商所把持。该胶带主要用于在晶圆完成光刻、打磨之后在最后工艺段把背底支撑膜(即晶圆研磨胶带)撕掉的关键工艺过程。

2、传统的晶圆制程专用剥膜溶剂型胶带在生产、制造和使用过程中都有有机溶剂等挥发性气体释放,对操作工人和环境都会造成影响。溶剂型压敏胶带表面带有粘性,很难使用自动化设备进行完整无瑕疵贴合,必须使用人工贴合,其生产过程工艺一致性、贴合过程中施加的贴合力等都很难把控。溶剂型压敏胶带由于表面带有粘性,一旦贴合位置有问题,很难快速撕开再定位,而且在此剥离再贴合过程中会因为受人工剥离力施加不均等因素影响,导致薄晶圆内部产生裂纹甚至报废。目前行业内采用溶剂型压敏胶剥膜胶带进行的剥膜制程,良率仅有70-75%。

3、同时,目前晶圆切割保护膜的主要基材包括聚烯烃po、电子级聚氯乙烯pvc、以及pet,其中,聚烯烃和电子级聚氯乙烯材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,从下至上依次设置有PET离型保护层、热熔胶层和PET基材层,其中,所述热熔胶层为共聚酰胺型热熔胶。

2.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,所述共聚酰胺型热熔胶的组分包括氨基酸、己内酰胺、二元羧酸、二元胺中的一种或数种的组合物,各组分作为原料通过开环聚合/熔融缩聚制备得到所述共聚酰胺型热熔胶。

3.如权利要求2所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,所述共聚酰胺型热熔胶的重均分子量为20000至60000。

4.如权利要求2所述的用于半...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,从下至上依次设置有pet离型保护层、热熔胶层和pet基材层,其中,所述热熔胶层为共聚酰胺型热熔胶。

2.如权利要求1所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,所述共聚酰胺型热熔胶的组分包括氨基酸、己内酰胺、二元羧酸、二元胺中的一种或数种的组合物,各组分作为原料通过开环聚合/熔融缩聚制备得到所述共聚酰胺型热熔胶。

3.如权利要求2所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保型剥膜胶带,其特征在于,所述共聚酰胺型热熔胶的重均分子量为20000至60000。

4.如权利要求2所述的用于半导体晶圆切割保护膜的环保...

【专利技术属性】
技术研发人员:李诚叶书怀张涛袁凯吉和信钟程苟明明丁震东史慧敏
申请(专利权)人:江苏和和新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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