【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种半导体激光元件。
技术介绍
1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。
2、激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
3、1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；
4、2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；
5、3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受...
【技术保护点】
1.一种半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述半导体激光元件还包括应变极性拓扑层，所述应变极性拓扑层包括第一子应变极性拓扑层和第二子应变极性拓扑层，所述第一子应变极性拓扑层设置在下限制层与下波导层之间，所述第二子应变极性拓扑层设置在上限制层与上波导层之间，所述第一子应变极性拓扑层具有In/Mg元素比例分布特性和热膨胀系数分布特性，所述第二子应变极性拓扑层具有Al/Si元素比例分布特性和热膨胀系数分布特性。
2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述第一子应变极性拓扑层的In...
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述半导体激光元件还包括应变极性拓扑层，所述应变极性拓扑层包括第一子应变极性拓扑层和第二子应变极性拓扑层，所述第一子应变极性拓扑层设置在下限制层与下波导层之间，所述第二子应变极性拓扑层设置在上限制层与上波导层之间，所述第一子应变极性拓扑层具有in/mg元素比例分布特性和热膨胀系数分布特性，所述第二子应变极性拓扑层具有al/si元素比例分布特性和热膨胀系数分布特性。
2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述第一子应变极性拓扑层的in/mg元素比例具有函数y＝x/lnx第四象限曲线分布，x为第一子应变极性拓扑层往下限制层方向的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述第一子应变极性拓扑层的热膨胀系数具有函数y＝ex/x2第二象限曲线分布，x为第一子应变极性拓扑层往下限制层方向的深度。
4.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述第二子应变极性拓扑层的al/si元素比例具有函数y＝exsinx曲线分布，x为第二子应变极性拓扑层往上波导层方向的深度。
5.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述第二子应变极性拓扑层的热膨胀系数具有函数y＝exsinx曲线分布，x为第二子应变极性拓扑层往上波导层方向的深度。
6.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓琴，郑锦坚，曹军，蓝家彬，蔡鑫，陈婉君，张江勇，李水清，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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