【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其是涉及一种定位补偿方法、系统及设备。
技术介绍
1、在半导体制造和精密光学领域，晶圆是一种非常薄的硅片，用于制作集成电路和各种光学元件，在晶圆的加工制作中，晶圆的精确对准和定位对保证最终产品的质量至关重要。在理想情况下，晶圆放置在极坐标运动平台后，晶圆的几何中心与运动平台的旋转中心完全对齐，这时，通过控制晶圆的旋转角度和平移距离，能够将晶圆上的任意一点移动到极坐标运动平台的圆心处，从而实现对晶圆的精准定位和加工。
2、然而，在实际应用中，由于受到各种因素的影响，上述理想情况是无法实现的，例如受到装配误差、设备运动精度限制、控制误差等因素的影响，使得晶圆的圆心与极坐标运动平台的圆心不重合，理论设置的旋转角度与实际的旋转角度之间存在误差，沿极坐标系极轴的位移与理论值之间存在误差，这些误差会逐渐累积并影响后续的测量和加工过程。另外，上述极坐标运动平台的定位误差问题不仅存在于晶圆加工中，也普遍存在于其他应用极坐标运动平台进行定位的工艺或流程中，因此，急需一种定位补偿方法，用于减小或消除上述误差的存在，提高整
【技术保护点】
1.一种定位补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的定位补偿方法，其特征在于，所述预测样品上设置有特征标记，根据所述极坐标运动平台和所述预测样品，分别获取所述第一坐标系和所述第二坐标系，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的定位补偿方法，其特征在于，根据所述极坐标运动平台和所述特征标记，获取所述第一坐标系，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的定位补偿方法，其特征在于，所述特征标记包括凹槽标记，根据所述极坐标运动平台和所述特征标记，获取所述第一坐标系之前，还包括以下步骤：
5.根据权利要求3所述...
【技术特征摘要】
1.一种定位补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的定位补偿方法，其特征在于，所述预测样品上设置有特征标记，根据所述极坐标运动平台和所述预测样品，分别获取所述第一坐标系和所述第二坐标系，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的定位补偿方法，其特征在于，根据所述极坐标运动平台和所述特征标记，获取所述第一坐标系，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的定位补偿方法，其特征在于，所述特征标记包括凹槽标记，根据所述极坐标运动平台和所述特征标记，获取所述第一坐标系之前，还包括以下步骤：
5.根据权利要求3所述的定位补偿方法，其特征在于，所述特征标记包括图形标记，根据所述图形标记和所述预测样品以获取所述第二坐标系。
6.根据权利要求3所述的定位补偿方法，其特征在于，所述特征标记包括凹槽标记，所述第二坐标系的原点o1相比于所述凹槽标记更加靠近所述第一坐标系的原点o，根据所述极坐标运动平台和所述特征标记，获取所述第一坐标系之前，还包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员：高然，邱青菊，
申请(专利权)人：睿励科学仪器上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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