【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆研磨定位环及化学机械研磨设备。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸的日益缩减及器件密度的急剧增加，多层布线技术应时而生。然而，虽然采用多层布线技术能够提高器件的集成密度，但多层布线技术导致晶圆表面产生过大的起伏，从而引起光刻工艺产生聚焦问题，导致整个晶圆上线宽的一致性降低，为此，需要对不规则的晶圆表面进行平坦化处理。而化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing，cmp)已成为全局平坦化的最佳方法，是整个晶圆制造不可或缺的工序。
2、目前，业界普遍采用化学机械研磨机台来完成化学机械研磨工序。而现有的化学机械研磨机台的研磨模块主要包括：研磨盘、研磨垫、研磨头、晶圆研磨定位环及橡胶隔膜。在研磨的过程中，晶圆被置于晶圆研磨定位环内，研磨机将精准的压力传导给研磨头的橡胶隔膜，通过上述方式来控制晶圆与研磨垫接触。当晶圆研磨定位环和晶圆与位于二者下方的研磨垫发生相对移动时，研磨液沿晶圆研磨定位环底面上的凹槽开口流向定位环及晶圆的内部，从而在研磨液的作用下实现晶圆的
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1.一种晶圆研磨定位环，其特征在于，所述晶圆研磨定位环包括：一环体及形成于所述环体上的多个凹槽，其中，所述环体为圆环体，包括内侧壁和外侧壁，所述凹槽贯穿所述环体的外侧壁及内侧壁，且所述凹槽的侧壁与其底部之间的夹角为锐角。
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的两个侧壁平行。
3.根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的垂直高度包括3mm～4mm；所述凹槽的水平宽度包括3mm～4mm。
4.根据权利要求3所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的垂直高度包括3mm～3.2mm；所述凹槽的水平...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨定位环，其特征在于，所述晶圆研磨定位环包括：一环体及形成于所述环体上的多个凹槽，其中，所述环体为圆环体，包括内侧壁和外侧壁，所述凹槽贯穿所述环体的外侧壁及内侧壁，且所述凹槽的侧壁与其底部之间的夹角为锐角。
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的两个侧壁平行。
3.根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的垂直高度包括3mm～4mm；所述凹槽的水平宽度包括3mm～4mm。
4.根据权利要求3所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽的垂直高度包括3mm～3.2mm；所述凹槽的水平宽度包括3mm～3.2mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆研磨定位环，其特征在于，所述凹槽靠近所述内侧壁及所述外侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：张健，周海锋，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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