【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体晶圆加工，特别是指一种可调倾斜度的晶圆键合装置。
技术介绍
1、堆叠随着半导体技术的进步,晶圆的厚度亦不断的被减薄,以利于进行后续的晶圆切割、3d和封装等制程。此外晶圆的薄化亦有利于缩小芯片的体积、降低电阻、加快指令周期及延长使用寿命的优点。然而经过减薄的晶圆的构造十分脆弱,容易在后续的制程中发生晶圆翘曲或断裂,进而降低产品的良率。
2、为了避免上述问题的发生，一般会选择将两块晶圆进行键合。具体而言，可选择的在下晶圆的表面涂布黏合剂、双面胶或进行等离子活化等工艺处理而后将上晶圆及下晶圆移动到晶圆键合机构进行对位,并提高上下晶圆的温度进行键合。
3、目前已有的晶圆键合装置一般有几种键合方法：中国专利cn216528754u采用的晶圆键合装置是将一晶圆经过对准后放置在另一晶圆上直接贴合，在进行加压即热，这种贴合方式仍存在键合过程中有气体残留，导致晶片之间出现未粘合区域的问题。中国专利cn218333691u采用的键合装置是具有中心顶杆的晶圆键合装置，引入的装置较多，结构复杂，安装要求高，要保持很好的平
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【技术保护点】
1.一种可调倾斜度的晶圆键合装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的可调倾斜度的晶圆键合装置，其特征在于：所述升降加压组件(1)包括一个电缸(11)，一个连接板(12)，一个顶板(13)，一个浮动接头(14)，一个中联板(15)，四个直线轴承(16)，四个导向杆(17)，一个底板(18)，所述电缸(11)通过连接板(12)固定连接于顶板(13)上，所述浮动接头(14)固定连接于电缸(11)，活动连接于中联板(15)，所述导向杆(17)固定连接于顶板(13)与底板(18)之间，所述四个直线轴承(16)分别活动连接于四个导向杆(17)。
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【技术特征摘要】
1.一种可调倾斜度的晶圆键合装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的可调倾斜度的晶圆键合装置，其特征在于：所述升降加压组件(1)包括一个电缸(11)，一个连接板(12)，一个顶板(13)，一个浮动接头(14)，一个中联板(15)，四个直线轴承(16)，四个导向杆(17)，一个底板(18)，所述电缸(11)通过连接板(12)固定连接于顶板(13)上，所述浮动接头(14)固定连接于电缸(11)，活动连接于中联板(15)，所述导向杆(17)固定连接于顶板(13)与底板(18)之间，所述四个直线轴承(16)分别活动连接于四个导向杆(17)。
3.根据权利要求1所述的可调倾斜度的晶圆键合装置，其特征在于：所述倾斜度调整组件(2)包括连接头(21)，上固定板(22)，四个顶杆(23)，两个限位杆(24)，球头连接杆(25)，下固定板(26)，槽孔(27)，所述四个顶杆(23)可以伸出不同的长度进而调节上晶圆(42)的倾斜度并且达到一定压力时顶杆(23)会被顶回，所述球头连接杆(25)活动连接于下固定板(26)以达到倾斜的目的，所述限位杆(24)固定连接于上固定板(22)，与下固定板(26)的两个槽孔(27)表面相切，其对所述下固定板(26)的自由度进行限制，使得其在一个平面倾斜。
【专利技术属性】
技术研发人员：李庆澳，蒋志韬，张继成，冯金武，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：
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