支持128字节高速缓存行处理器的双列直插式存储器的布局制造技术

提供了一种被配置为与计算机中的处理器一起使用的存储器条。该存储器条包括具有第一侧和第二侧的印刷电路板，第一侧和第二侧中的每一者包括十八个存储器芯片，各个存储器芯片是×8DRAM芯片；十八个存储器芯片分布为第一行、第二行、第三行和第四行，第一行和第二行在印刷电路板的左半部上，并且第三行和第四行在印刷电路板的右半部上；并且印刷电路板包括至少400个引脚，包括用于ECC位的至少16个引脚和用于数据位的至少128个引脚；其中，至少存储器芯片和用于数据位的128个引脚建立128位数据宽度以进行通信。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文描述的各种实施例总体上涉及具有双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)芯片的双列直插式存储器模块(dual in-line memory module，dimm)。更具体地，各种实施例涉及能够利用具有128字节高速缓存行处理器的第五代ddr(ddr5)dimm中发现的改进的ddr sdram的布局。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dram)是种通常用于计算机处理器运行所需的数据或程序代码的半导体存储器。dram是用于个人计算机(pc)、膝上型电脑、工作站和服务器中的常见类型的随机存取存储器(ram)。dram通常被提供为集成电路芯片。dram芯片当前支持4(×4)或8(×8)或16(×16)位的数据位宽。同步动态随机存取存储器(sdram)是其中外部提供的时钟信号协调其外部引脚接口的操作的dram。

2、双列直插式存储器模块(dual in-line memory module，dimm)是具有填充印刷电路板(pcb)的一侧或两侧的若干sdram的集合的存储器条。该存储器条被插入到计算设备(例如服务器、个人计算机、膝上型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种被配置为与计算机中的处理器一起使用的存储器条，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器条，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器条，还包括：

4.根据权利要求2所述的存储器条，还包括：所述印刷电路板的所述第一侧上的所述第二行与所述印刷电路板的所述第一侧上的所述第四行水平对准。

5.根据权利要求1所述的存储器条，其中，至少x个所述引脚被分布成四组，各个组内的所述引脚具有小于0.85mm的引脚间距。

6.根据权利要求5所述的存储器条，其中，所述引脚间距为0.5mm。

7.根据权利要求1所述的存储器条，还包括RCD芯...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种被配置为与计算机中的处理器一起使用的存储器条，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器条，其中，

3.根据权利要求1所述的存储器条，还包括：

4.根据权利要求2所述的存储器条，还包括：所述印刷电路板的所述第一侧上的所述第二行与所述印刷电路板的所述第一侧上的所述第四行水平对准。

5.根据权利要求1所述的存储器条，其中，至少x个所述引脚被分布成四组，各个组内的所述引脚具有小于0.85mm的引脚间距。

6.根据权利要求5所述的存储器条，其中，所述引脚间距为0.5mm。

7.根据权利要求1所述的存储器条，还包括rcd芯片，所述rcd芯片在所述印刷电路板的所述第一侧上并且被配置为提供四个独立的时钟信号，包括：

8.根据权利要求7所述的存储器条，还包括多个数据缓冲器。

9.根据权利要求1所述的存储器条，还包括：

10.根据权利要求1所述的存储器条，其中，128位数据宽度包含两个64位数据宽度通道。

【专利技术属性】
技术研发人员：拉多斯拉夫·达尼拉克，罗德尼·穆伦多，威廉·拉德克，志·杜，
申请(专利权)人：塔奇姆有限公司，
类型：发明
国别省市：