【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种信号处理电路。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
2、随着dram应用的领域越来越多，如dram越来越多的应用于移动领域，用户对于dram功耗指标的要求越来越高，对dram的速度、省电都有具体要求，如何使dram更省电的同时，亦能保证信号的完整性以及数据传输和存储的可靠性，是行业内亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种信号处理电路，至少有利于解决半导体存储器功耗大的问题。
2、本公开实施例提供一种信号处理电路，应用于半导体存储器，用于写入数据和读出数据，半导体存储器...
【技术保护点】
1.一种信号处理电路，应用于半导体存储器，用于写入数据和读出数据，其特征在于，所述半导体存储器包括纵向排布的数据端口、第一存储块以及第二存储块，所述信号处理电路包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，还包括：第一写入驱动模块，所述第一写入驱动模块包括第一写入驱动单元，连接于所述第一全局数据线，所述第一写入驱动单元用于响应于第一写入使能信号以及待写入数据输出写入数据，所述写入数据通过所述第一全局数据线传输至所述第一存储块，或者通过所述第一全局数据线以及所述第二全局数据线传输至所述第二存储块。
3.根据权利要求2所述的信号处理电路...
【技术特征摘要】
1.一种信号处理电路，应用于半导体存储器，用于写入数据和读出数据，其特征在于，所述半导体存储器包括纵向排布的数据端口、第一存储块以及第二存储块，所述信号处理电路包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理电路，其特征在于，还包括：第一写入驱动模块，所述第一写入驱动模块包括第一写入驱动单元，连接于所述第一全局数据线，所述第一写入驱动单元用于响应于第一写入使能信号以及待写入数据输出写入数据，所述写入数据通过所述第一全局数据线传输至所述第一存储块，或者通过所述第一全局数据线以及所述第二全局数据线传输至所述第二存储块。
3.根据权利要求2所述的信号处理电路，其特征在于，所述第一存储块还包括：第一全局互补数据线，所述第一存储块通过所述第一全局数据线与所述第一全局互补数据线接收所述写入数据；还包括：第一反相电路，响应于写入信号使能，所述第一反相电路的输入端连接于所述第一全局数据线，用于接收所述第一全局数据线中的所述第一写入数据，所述第一反相电路的输出端连接于第一互补全局数据线。
4.根据权利要求2所述的信号处理电路，其特征在于，还包括：校验模块，所述校验模块与所述第一输出模块以及所述第一写入驱动模块连接；所述校验模块通过接收所述第一输出模块输出的第一输出数据以及与所述第一输出数据对应的第一校验数据，以基于所述第一校验数据对所述第一输出数据进行修正，并输出修正后的第一修正数据，其中，所述第一校验数据由所述第一输出模块输出；所述校验模块还通过所述第一全局数据线接收所述第二输出模块输出的第二输出数据以及与所述第二输出数据对应的第二校验数据，以基于所述第二校验数据对所述第二输出数据进行修正，并输出校验后的第二修正数据；所述第一写入数据包括：第一原始输入数据以及第一原始校验数据，所述第一原始校验数据由所述校验模块根据所述第一原始输入数据生成。
5.根据权利要求2所述的信号处理电路，其特征在于，还包括：第一全局互补数据线，连接于所述第一存储块与所述第一写入驱动模块，所述第一写入驱动模块还...
【专利技术属性】
技术研发人员：张良，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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