一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置及方法制造方法及图纸

一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置及方法，涉及一种绝缘栅双极性晶体管均压技术，为了解决现有的动态均压方式对于IGBT串联电路动态均压的主动性差的问题。本发明专利技术的驱动信号发生器，用于产生初始驱动信号和最终驱动信号；驱动电路，用于初始驱动信号和最终驱动信号进行放大；RCD缓冲电路，用于改变IGBT集电极与发射极之间的端电压；采样电路用于采集IGBT集电极与发射极两端的通断时序以及端电压；控制系统，用于接收采样信号并对比，如果对比结果不相同，则输出调节信号；如果对比结果相同，则输出工作信号，所述工作信号控制串联的多个IGBT与应用电路相接通，使应用电路进入正常工作状态。有益效果为均压主动性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种绝缘栅双极性晶体管均压，尤其涉及一种igbt串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置及方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)以其开关速度快、电流容量大等优势，被广泛应用于高压变压器、高压脉冲电源等高电压大容量电子电路的设备中。然而，由于目前igbt器件本身设计特性、工艺水平及制造水平的限制，单个igbt的耐压水平已无法满足需求，多个igbt串联势必成为目前主流的解决这一问题的最直接有效的方法；而多个igbt串联，主要面临的问题即为igbt器件间的均压问题。

2、igbt均压问题主要分为动态均压和静态均压；静态均压指的是当串联的igbt处于静止状态时，各igbt器件两端电压的均衡性；动态均压指的是当igbt处于开通或关断的瞬间动作时，igbt两端的动态均衡性。影响igbt静态均压的主要因素是在关断状态下，igbt的等效电阻特性，因此，目前行之而有效的解决方案即为在igbt集电极和发射极两端并联无感均压电阻。而动态均压目前主流解决方式有两种：第一种是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述自调节装置包括多个IGBT自调节单元(1)和控制系统(2)；

2.根据权利要求1所述的一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述自调节装置还包括辅助调节电源(9)；

3.根据权利要求2所述的一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述控制系统(2)输出的调节信号包括时序调节信号和均压信号；

4.根据权利要求3所述的一种IGBT串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述RCD缓冲电路(7)包括二极管D1、二极管D...

【技术特征摘要】

1.一种igbt串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述自调节装置包括多个igbt自调节单元(1)和控制系统(2)；

2.根据权利要求1所述的一种igbt串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，所述自调节装置还包括辅助调节电源(9)；

3.根据权利要求2所述的一种igbt串联电路中主动均压式驱动信号的自调节装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张可心，韩思玮，赵翔宇，宫铭辰，许敏虎，张朋，陈世玉，杨洪达，张航，梁建权，王悦，李璐，李中原，
申请(专利权)人：国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：