一种基于片上变压器的空间功率合成结构制造技术

本技术公开了一种基于片上变压器的空间功率合成结构，包含若干堆叠设置的芯片单体和功率输出电路，所述的芯片单体在纵向上进行堆叠，所述的芯片单体上均设有一功率放大器和变压器，所述的变压器均与所述的功率输出电路相耦合。利用多片芯片单体垂直堆叠，信号功率在垂直方向上通过变压器与功率耦合线圈的电磁耦合作用进行合成。由于芯片单体的厚度很低，芯片单体堆叠数量可以很多，由此可以产生更高的输出功率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率电路，更确切地说，是一种基于片上变压器的空间功率合成结构。

技术介绍

1、cmos pa的输出功率一直是一个cmos射频前端的关键指标。为了突破器件本身的特性限制导致的输出功率受限，研究者一直在努力进行不同形式的功率合成尝试，以获得更高的输出功率。但是，限于集成电路二维平面的形状特点，与传统的微波毫米波电路不同，大部分片上功率合成技术都是在二维平面上进行的。基于此特点，也限制了基于二维平面功率合成技术的最大输出功率。

2、中国专利技术专利文献cn113410600a公开了一种用于毫米波芯片的功率合成系统，所述功率合成系统集成于所述毫米波芯片上，所述功率合成系统包括n个合成器组；每个所述合成器组为一级，n个所述合成器组形成从第1级至第n级的功率合成系统，n个所述合成器组按照级别顺序依次级联连接，第i级所述合成器组包括2i-1个目标合成器；n为大于或者等于二的整数；i为大于或等于一，且小于或等于n的整数；每级所述合成器组中的所述目标合成器均为第一合成器或均为第二合成器，n个所述合成器组中包括至少一由所述第一合成器组成的合成器组和至本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的基于片上变压器的空间功率合成结构包含若干堆叠设置的芯片单体(1)和功率输出电路(2)，所述的芯片单体(1)在纵向上进行堆叠，所述的芯片单体(1)上均设有一功率放大器(PA)和变压器(TR)，所述的变压器(TR)均与所述的功率输出电路(2)相耦合。

2.根据权利要求1所述的基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的功率输出电路(2)包含功率耦合线圈(21)。

3.根据权利要求1所述的基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的功率放大器(PA)为CMOS功率放大器。p>

4.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的基于片上变压器的空间功率合成结构包含若干堆叠设置的芯片单体(1)和功率输出电路(2)，所述的芯片单体(1)在纵向上进行堆叠，所述的芯片单体(1)上均设有一功率放大器(pa)和变压器(tr)，所述的变压器(tr)均与所述的功率输出电路(2)相耦合。

2.根据权利要求1所述的基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的功率输出电路(2)包含功率耦合线圈(21)。

3.根据权利要求1所述的基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的功率放大器(pa)为cmos功率放大器。

4.根据权利要求1所述的基于片上变压器的空间功率合成结构，其特征在于，所述的芯片单体(1)在纵向上相隔一预设的堆叠间距(s)。

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：邱威，夏洁，
申请(专利权)人：重庆幂天通讯设备制造有限责任公司，
类型：新型
国别省市：