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本技术公开了一种基于片上变压器的空间功率合成结构,包含若干堆叠设置的芯片单体和功率输出电路,所述的芯片单体在纵向上进行堆叠,所述的芯片单体上均设有一功率放大器和变压器,所述的变压器均与所述的功率输出电路相耦合。利用多片芯片单体垂直堆叠,信号...该专利属于重庆幂天通讯设备制造有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过重庆幂天通讯设备制造有限责任公司授权不得商用。
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本技术公开了一种基于片上变压器的空间功率合成结构,包含若干堆叠设置的芯片单体和功率输出电路,所述的芯片单体在纵向上进行堆叠,所述的芯片单体上均设有一功率放大器和变压器,所述的变压器均与所述的功率输出电路相耦合。利用多片芯片单体垂直堆叠,信号...