晶圆对准标定方法及晶圆曝光方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及晶圆对准标定方法及晶圆曝光方法。标定方法包括：在掩膜版上选取左右两个对准标记，对准标记均包括两个标定点；左相机和右相机分别在终端上显示对准标记的截图；左相机的截图上标定两个标定点的坐标x<subgt;1</subgt;，y<subgt;1</subgt;和x<subgt;2</subgt;，y<subgt;2</subgt;，右相机的截图上标定两个标定点的坐标x<subgt;3</subgt;，y<subgt;3</subgt;和x<subgt;4</subgt;，y<subgt;4</subgt;；左相机的截图中x<subgt;s</subgt;＝x<subgt;2</subgt;‑x<subgt;1</subgt;，y<subgt;s</subgt;＝y<subgt;2</subgt;‑y<subgt;1</subgt;，两个标定点的像素距离为右相机的截图中x<subgt;r</subgt;＝x<subgt;4</subgt;‑x<subgt;3</subgt;，y<subgt;r</subgt;＝y<subgt;4</subgt;‑y<subgt;3</subgt;，两个标定点的像素距离为本申请解决了现有对准方法中，自动获取坐标不精确，且运动时会造成标记点超出视场，以及由于往复运动导致数据误差大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，尤其是涉及一种晶圆对准标定方法及晶圆曝光方法。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，曝光是芯片制造的核心。随着半导体制造业的不断发展，晶圆加工的精度不断提高。晶圆对准是晶圆进行曝光前的关键步骤。一个芯片的产生要经历几十次曝光才能完成，有些结构层甚至需要多次曝光才能形成。其中层间对准是曝光中最重要的一步，通过层间对准保证掩膜图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。而要完成层间对准必须要有片上参照物，即对准标记(mark)。各层结构之间使用统一的对准标记作为参照物进行对准，以防工艺层之间出现错位。

2、例如，现有的对准标定方法一般都是在晶圆上预先选取两个对准标记，每个对准标记都具有多个标记点，然后通过程序计算出两个标记点的坐标、两个标记点之间的像素距离以及两个标记点之间像素距离与物理实际距离之间的关系，最终依据上述参数移动掩膜版对准晶圆，实现层间的对准(即现有的对准标定方法都需要计算两个标记点的坐标、两个标记点之间的像素距离以及两个标记点之间像素距离与物理实际距离之间的关系)。

3、具体地，现有的对准标定方法为自动标定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法还包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述左对准标记和所述右对准标记均包括五个标定点，其中位于中间的标定点为十字形，其余四个标定点均为矩形，四个矩形的标定点均匀布置在十字形的标定点的四周；

4.根据权利要求3所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，手动标定的两个标定点之间的实际距离为1300微米；

5.根据权利要求1所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法还包括在计...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法还包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述左对准标记和所述右对准标记均包括五个标定点，其中位于中间的标定点为十字形，其余四个标定点均为矩形，四个矩形的标定点均匀布置在十字形的标定点的四周；

4.根据权利要求3所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，手动标定的两个标定点之间的实际距离为1300微米；

5.根据权利要求1所述的晶圆对准标定方法，其特征在于，所述晶圆对准标定方法还包括在计算单个像素点尺寸之...

【专利技术属性】
技术研发人员：李康平，刘冰鑫，王超，方敏晰，朱朋旭，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：