一种半导体用液体硅源分配阀门箱制造技术

技术编号:42408438 阅读:31 留言:0更新日期:2024-08-16 16:27
本技术提供了一种半导体用液体硅源分配阀门箱,阀门箱内设置有常出口管路,液体源管路的输入端连接阀门箱的进液口,其输出端连接至常出口管路的输入端,用于输送液体硅源,液体源管路设置有用于控制所述液体硅源在所述液体源管路内输送的第一阀门;第一进气管路用于输送第一吹扫气体;第二进气管路用于输送第二吹扫气体;吹扫管路的输入端分别连通所述第一进气管路和第二进气管路,其输出端连接至所述常出口管路的输入端,吹扫管路上设置有用于控制所述吹扫气体在所述吹扫管路内输送的第二阀门,吹扫气体包括第一吹扫气体以及第二吹扫气体;常出口管路的输出端连接至所述阀门箱的常用出液口,常出口管路上设置有第三阀门。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造设备,尤其涉及一种半导体用液体硅源分配阀门箱


技术介绍

1、液体硅源是指用于生产硅基材料的液体化合物,常见的液体硅源包括三氯氢硅(tcs)和硅烷(sih4)。液体硅源在半导体制造以及其他相关工艺中广泛应用。这些应用要求精确、可靠且安全地处理和分配高度活性的化学物质。传统的液体硅源分配系统在系统内部的清洁效率、紧急响应能力和化学物质的排放安全方面都存在缺陷。

2、目前的液体硅源分配系统通常依赖于单一类型的吹扫气体,如用氮气维持系统内部的清洁。然而,这种单一气体吹扫方法无法快速达到所需的清洁度。另外,现有系统缺乏有效的远程控制能力,这在紧急情况下限制了操作员的响应速度和灵活性。在系统故障或泄漏的情况下,无法迅速且远程地关闭阀门或启动安全程序,这具有安全隐患。此外,在现有系统中,使用真空排放技术无法完全排空管道中的化学物质(如tcs),这对维修人员的安全构成威胁。在停机维修时,如果tcs没有被彻底清除,可能会让操作人员暴露在有害化学物质中,增加了操作风险。

3、因此,亟需对现有装置进行改进以提高液体硅源分配系统的清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体用液体硅源分配阀门箱,所述阀门箱内设置有常出口管路;其特征在于,所述阀门箱内还设置有:

2.根据权利要求1所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述阀门箱内还设置有:

3.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述第一进气管路、所述第二进气管路和所述第三进气管路上都设置有止回阀。

4.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述第一吹扫气体为氢气,所述第二吹扫气体为第一纯度的氮气,所述第三吹扫气体为第二纯度的氮气,所述第二纯度小于所述第一纯度。

5.根据权利要求2所述的半导体用...

【技术特征摘要】

1.一种半导体用液体硅源分配阀门箱,所述阀门箱内设置有常出口管路;其特征在于,所述阀门箱内还设置有:

2.根据权利要求1所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述阀门箱内还设置有:

3.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述第一进气管路、所述第二进气管路和所述第三进气管路上都设置有止回阀。

4.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述第一吹扫气体为氢气,所述第二吹扫气体为第一纯度的氮气,所述第三吹扫气体为第二纯度的氮气,所述第二纯度小于所述第一纯度。

5.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述紧急出口管路上设置有真空发生器,用于为所述紧急出口管路提供真空环境。

6.根据权利要求2所述的半导体用液体硅源分配阀门箱,其特征在于,所述阀门箱内设置有多个常出口管路,每...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴庆东李国扣黄俊
申请(专利权)人:上海新傲科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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