【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地，本专利技术涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本专利技术涉及具有网格分布的栅线的氮化物基半导体器件。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，以满足高功率/频率器件的需求。除了hemt之外，具有异质结构的器件的例子还包括异质结双极晶体管(hbt)，异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
技术实现思路
1、在一个方面，本专利技术提供了一种氮化物基半导体器件。该氮化物基半导体器件包括至少一个氮化物基晶体管，第一导电层，多个第一焊盘，第二导电层，多个第二焊盘和图案化导电层。氮化物基晶体管包括源极和漏极。第一导电层连接到源极。第一焊盘连接到第一导电层，其中第一焊盘沿第一方向设置。第二导电层连接到漏极。第二焊盘连接到第二导电层，其中第二焊盘沿第一方向设置。图案化导电层包括沿不同于第一方向...
【技术保护点】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中沿所述第一方向设置的所有所述第一焊盘均以所述第一间隔设置。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中沿所述第一方向设置的所有所述第二焊盘均以所述第二间隔设置。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一焊盘中的每一个都具有宽度和大于所述宽度的长度。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二焊盘中的每一个都具有宽度和大于所述宽度的长度。p>
6.根据前...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中沿所述第一方向设置的所有所述第一焊盘均以所述第一间隔设置。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中沿所述第一方向设置的所有所述第二焊盘均以所述第二间隔设置。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一焊盘中的每一个都具有宽度和大于所述宽度的长度。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二焊盘中的每一个都具有宽度和大于所述宽度的长度。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述栅线共同形成包围所述第一焊盘的多个第一网格。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述栅线共同形成包围所述第二焊盘的多个第二网格。
8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一网格中的每一个都小于所述第二网格。
9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一焊盘具有相同的面积。
10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第二焊盘具有相同的面积。
11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一焊盘与所述第二焊盘具有相同的面积。
12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的距离大于所述第二焊盘之间的距离。
13.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晓燕，温家蔚，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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