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一种氮化物基半导体器件，包括氮化物基晶体管，第一导电层，第一焊盘，第二导电层，第二焊盘和图案化导电层。氮化物基晶体管包括源极和漏极。第一导电层连接到源极。第一焊盘连接到第一导电层，第一焊盘沿第一方向设置。第二导电层连接到漏极。第二焊盘连接到...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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