【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆治具,尤其涉及一种晶圆中心定位装置及晶圆检测设备。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,微电子器件的集成度日益增加。为了满足半导体技术的发展要求,8英寸以及12英寸的晶圆片都已经投入市场。由于在微电子器件的制备工艺中,光刻、刻蚀、溅射、研磨、抛光等技术易导致晶圆表面出现裂纹,变型等损伤。因此,表面粗糙度等工艺参数的精准化控制是提高器件性能的关键,目前常常通过afm(atomic forcemicroscope,原子力显微镜)检测设备对晶圆进行检测。
2、现有的大多数afm检测设备中的机台配备的是8英寸的真空吸附台,在对大尺寸的晶圆(例如12英寸等)检测时,8英寸的真空吸附台也能够直接对大尺寸的晶圆进行承载,但是因为afm模块中未设计有额外的中心定位装置,8英寸的真空吸附台和大尺寸的晶圆的中心不能够精准地重合,因此,无法快速准确定位大尺寸的晶圆的中心位置,从而降低检测效率。
3、另外,由于大尺寸的晶圆放置于8英寸的真空吸附台上时,由于每次放置位置的不确定性,从而使大尺寸的晶圆的中心偏置,进而导致大尺寸
...【技术保护点】
1.一种晶圆中心定位装置,其特征在于,所述晶圆中心定位装置包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆中心定位装置,其特征在于,所述晶圆中心定位装置还包括连接部(14),所述连接部(14)设置于所述承载部(11)朝向所述晶圆(100)的一侧,并且所述连接部(14)与承载所述晶圆的真空吸附部之间为可拆卸连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆中心定位装置,其特征在于,所述连接部(14)包括第一连接件(141)和第二连接件(142),所述第一连接件(141)与所述承载部(11)连接,所述第二连接件(142)连接于所述第一连接件(141)中背离所述承载部(11)
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆中心定位装置,其特征在于,所述晶圆中心定位装置包括:
2.根据权利要求1所述的晶圆中心定位装置,其特征在于,所述晶圆中心定位装置还包括连接部(14),所述连接部(14)设置于所述承载部(11)朝向所述晶圆(100)的一侧,并且所述连接部(14)与承载所述晶圆的真空吸附部之间为可拆卸连接。
3.根据权利要求2所述的晶圆中心定位装置,其特征在于,所述连接部(14)包括第一连接件(141)和第二连接件(142),所述第一连接件(141)与所述承载部(11)连接,所述第二连接件(142)连接于所述第一连接件(141)中背离所述承载部(11)的一侧,并且所述第一连接件(141)和所述第二连接件(142)均与所述真空吸附部连接。
4.根据权利要求1所述的晶圆中心定位装置,其特征在于,一个所述承载部(11)、一个所述限位部(12)和一个导向部(13)为一组承载件(1),所述承载件(1)设置有多个,并且多组所述承载件(1)分布于所述晶圆(...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵弇斐,朱雷,李晓旻,
申请(专利权)人:胜科纳米苏州股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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