一种双介质DBR型垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种双介质分布式布拉格反射器(DBR)型垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。双介质DBR型垂直腔面发射激光器自下而上包括：导电热沉层、第一金属电极层、第一介质DBR层、第一透明导电层、第一电流窗口、有源层、第二电流窗口、第二透明导电层、第二介质DBR层和第二金属电极层；第二金属电极层上开有出光窗口，出光窗口与第一电流窗口和第二电流窗口在投影方向的位置相对应；出光窗口的截面尺寸大于第一及第二电流窗口的截面尺寸；第一透明导电层和有源层之间还包括第一离子注入隔离区，第一离子注入隔离区包围着第一电流窗口；第二透明导电层和有源层之间还包括第二离子注入隔离隔离区，第二离子注入隔离区包围着第二电流窗口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件，尤其涉及一种双介质dbr型垂直腔面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel)是一种特殊类型的激光器，其光学腔沿着垂直方向排列。在vcsel中，分布式布拉格反射器(distributed bragg reflector，dbr)是其重要组成，用于构建vcsel的光学腔。在vcsel中，上下分布式布拉格反射器位于光学腔的顶部和底部，用来反射光子并增强光学腔中的光场。这种反射允许光在光学腔内来回反射，从而增加光子激发的机会，促进激光输出。

2、典型的氧化限制型vcsel或质子注入型vcsel在器件制备上均遇到了一系列技术挑战。例如，dbr中生长的外延层存在导电性差、散热性差、与衬底的晶格不匹配以及折射率差异较小等问题，这些问题在镓氮基和铟磷基器件中尤为突出。又如，在氧化限制型vcsel中，需要通过氧化工艺实现对电流限制孔径大小即电场的控制，但这种氧化过程对于实现精确的结构尺寸控制十分困难，形成的光学腔尺寸可能会产生偏差，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双介质分布式布拉格反射器DBR型垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一金属电极层上形成导电热沉层具体包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质DBR层、第二介质DBR层、第一透明导电层和第二透明导电层构成器件的光学限制层；所述第一透明导电层、第二透明导电层、第一离子注入隔离区和第二离子注入隔离区构成器件的电流限制层；通过所述离子注入隔离区对有源层中的电流进行限制隔离；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极孔的位置远离第一...

【技术特征摘要】

1.一种双介质分布式布拉格反射器dbr型垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一金属电极层上形成导电热沉层具体包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质dbr层、第二介质dbr层、第一透明导电层和第二透明导电层构成器件的光学限制层；所述第一透明导电层、第二透明导电层、第一离子注入隔离区和第二离子注入隔离区构成器件的电流限制层；通过所述离子注入隔离区对有源层中的电流进行限制隔离；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极孔的位置远离第一电流窗口的边界大于第一设定距离，且所述第一电流窗口至所述第一电极孔所对应的第一透明导电层的电阻小于第一设定阻值；所述第二电极孔的位置远离第二电流窗口的边界大于第二设定距离，且所述第二电流窗口至所述第二电极孔所对应的第二透明导电层的电阻小于第二设定阻值；

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积第二金属电极层，并形成出光窗口具体包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积第二金属电极层，并形成出光窗口具体包括：

7.根据权利要求1所述的制备方法，形成所述第一离子注入隔离区的离子注入的方法包括：离...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘，李欣欣，李云，
申请(专利权)人：长三角物理研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：