【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆制造设备,尤其是一种联动式快接晶圆镀膜装置。
技术介绍
1、镀膜是晶圆制造工艺中重要的步骤。磁控溅射是一种常见的晶圆镀膜工艺,镀膜过程中,电子在电场的作用下与氩原子发生碰撞,通过电离产生ar正离子,ar正离子在电场作用下以高能量轰击靶材、使靶材发生溅射,在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积到晶圆上、形成薄膜。
2、常规的镀膜腔通常依赖载台升降接取晶圆、并通过载台顶升晶圆将晶圆送入相对密封的副腔内进行镀膜作业,从而避免晶圆进出口的存在影响反应区域的气流稳定性。常规的镀膜设备接料效率低、镀膜均匀性不佳。
技术实现思路
1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足,提供一种联动式快接晶圆镀膜装置。
2、为实现以上技术目的,本申请提供了一种联动式快接晶圆镀膜装置,包括:外筒,外筒上设有晶圆进出口;内筒,设于外筒中,内筒上设有第一进出口;载台,设于内筒中、用于承接晶圆;第一盖板,用于封闭第一进出口;第一驱动件,用于驱使第一盖板沿竖直方向运动、以便于第一盖板靠近
...【技术保护点】
1.一种联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述载台(10)包括:
3.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,还包括引导插槽(25),所述引导插槽(25)环绕所述内筒(2)的筒壁设置,所述引导插槽(25)内设有朝向所述内筒(2)倾斜延伸的引导斜面;
4.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述内筒(2)的底部设有一圈U型槽(2a),所述U型槽(2a)的外侧壁通过一圈水平壁(2b)与所述内筒(2)的筒壁底端相连;
5.
...【技术特征摘要】
1.一种联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述载台(10)包括:
3.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,还包括引导插槽(25),所述引导插槽(25)环绕所述内筒(2)的筒壁设置,所述引导插槽(25)内设有朝向所述内筒(2)倾斜延伸的引导斜面;
4.根据权利要求1所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述内筒(2)的底部设有一圈u型槽(2a),所述u型槽(2a)的外侧壁通过一圈水平壁(2b)与所述内筒(2)的筒壁底端相连;
5.根据权利要求4所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述辅助遮板(6)与所述载台(10)之间设有滚动件;
6.根据权利要求4所述的联动式快接晶圆镀膜装置,其特征在于,所述辅助遮板...
【专利技术属性】
技术研发人员:张超,张陈斌,宋永辉,王世宽,
申请(专利权)人:无锡尚积半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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