一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，AlGaN基深紫外LED芯片包括外延片、以及设置在外延片上的p型电极和n型电极，n型电极上设置有叠层结构，叠层结构包括依次层叠设置在n型电极上的ITO层、第一Al层、第一金属层、第二Al层、第二金属层和第三Al层；其中，ITO层由若干阵列设置的ITO半球组成，第一Al层填平若干阵列设置的ITO半球之间的间隙。本发明专利技术通过在n型电极上设置叠层结构，叠层结构中阵列设置的ITO半球，以及层叠设置Al层和金属层，能有效改善n型电极的电流分散性，以及减少n型电极对光的损耗，有利于提高AlGaN基深紫外LED芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种algan基深紫外led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、algan基深紫外led芯片指的是采用algan材料作为发光层、能产生260nm-285nm紫外光波的led芯片，其具有无汞、节能、环保等优点，在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)等方面有重要的应用市场。

2、但是，现有的algan基深紫外led芯片在使用过程中，其n型电极存在局部电流密度大、光损耗大等问题，严重影响了algan基深紫外led芯片的发光效率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种algan基深紫外led芯片及其制备方法，通过在n型电极上设置叠层结构，叠层结构中阵列设置的ito半球，以及层叠设置al层和金属层，能有效改善n型电极的电流分散性，以及减少n型电极对光的损耗，有利于提高algan基深紫外led芯片的发光效率。

2、本专利技术提供了一种algan基深紫外led芯片，包括外延片、以及设置在所述外延片上的p型电极和n型电极，所述n型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AlGaN基深紫外LED芯片，包括外延片、以及设置在所述外延片上的p型电极和n型电极，其特征在于，所述n型电极上设置有叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置在所述n型电极上的ITO层、第一Al层、第一金属层、第二Al层、第二金属层和第三Al层；其中，所述ITO层由若干阵列设置的ITO半球组成，所述第一Al层填平所述若干阵列设置的ITO半球之间的间隙。

2.如权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，所述ITO半球的直径范围为20nm-100nm。

3.如权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED芯片，其特征在于，相邻ITO半球之间的间距范围为...

【技术特征摘要】

1.一种algan基深紫外led芯片，包括外延片、以及设置在所述外延片上的p型电极和n型电极，其特征在于，所述n型电极上设置有叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置在所述n型电极上的ito层、第一al层、第一金属层、第二al层、第二金属层和第三al层；其中，所述ito层由若干阵列设置的ito半球组成，所述第一al层填平所述若干阵列设置的ito半球之间的间隙。

2.如权利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，所述ito半球的直径范围为20nm-100nm。

3.如权利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，相邻ito半球之间的间距范围为10nm-200nm。

4.如权利要求1所述的algan基深紫外led芯片，其特征在于，所述第一al层的厚度范围为60nm-80nm；所述第二al层的厚度范围为6...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯，周鑫，徐亮，范凯平，郑洪仿，钟美云，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：