GaN基半导体结构及其制备方法技术

本公开实施例提供了一种GaN基半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基半导体结构包括衬底、缓冲层和器件层，衬底具有相连的中心区域和环形区域，环形区域围绕中心区域；缓冲层位于衬底和器件层之间；AlGaN基缓冲层的远离衬底的表面为凹面，并且环形区域中AlGaN基缓冲层的厚度大于中心区域中AlGaN基缓冲层的厚度；GaN基缓冲层的靠近衬底的表面与凹面贴合，并且环形区域中GaN基缓冲层的厚度小于中心区域中GaN基缓冲层的厚度；器件层包括多个GaN器件。本公开实施例能在保证中心区域中GaN的厚度较大的同时，提高GaN基半导体结构的质量。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别涉及一种gan基半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、gan(氮化镓)作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、耐高温、热导率高、电子饱和速率大和化学稳定性好等优点，已经被广泛用于各种半导体器件中。

2、相关技术中，gan基半导体结构包括依次层叠的衬底、成核层、algan缓冲层、gan缓冲层和器件层，器件层包括多个gan器件，一般algan缓冲层的厚度均匀，并且gan缓冲层的厚度均匀。

3、然而，algan缓冲层的厚度均匀，若algan缓冲层的厚度太小，可能难以减少gan基半导体结构的热应力，导致gan基半导体结构的边缘位置产生裂纹和翘曲，并且会影响在algan缓冲层上生长的gan的厚度，若algan缓冲层的厚度太大，会导致gan基半导体结构的整体厚度较大。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种gan基半导体结构及其制备方法，能在保证中心区域中gan的厚度较大的同时，提高gan基半导体结构的质量。所述技术方案如下：p>

2、一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基半导体结构，其特征在于，包括衬底(30)、缓冲层(40)和器件层(50)，所述器件层(50)包括多个GaN器件(51)；

2.根据权利要求1所述的GaN基半导体结构，其特征在于，所述环形区域(20)包括相连的第一子区域(21)和第二子区域(22)，所述第一子区域(21)位于所述中心区域(10)和所述第二子区域(22)之间，所述中心区域(10)中所述AlGaN基缓冲层(41)的平均厚度与所述第二子区域(22)中所述AlGaN基缓冲层(41)的平均厚度的比值为0.7至0.95。

3.根据权利要求2所述的GaN基半导体结构，其特征在于，所述第二子区域(2...

【技术特征摘要】

1.一种gan基半导体结构，其特征在于，包括衬底(30)、缓冲层(40)和器件层(50)，所述器件层(50)包括多个gan器件(51)；

2.根据权利要求1所述的gan基半导体结构，其特征在于，所述环形区域(20)包括相连的第一子区域(21)和第二子区域(22)，所述第一子区域(21)位于所述中心区域(10)和所述第二子区域(22)之间，所述中心区域(10)中所述algan基缓冲层(41)的平均厚度与所述第二子区域(22)中所述algan基缓冲层(41)的平均厚度的比值为0.7至0.95。

3.根据权利要求2所述的gan基半导体结构，其特征在于，所述第二子区域(22)中所述algan基缓冲层(41)的平均厚度与所述中心区域(10)中所述algan基缓冲层(41)的平均厚度的差值为25nm至900nm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的gan基半导体结构，其特征在于，所述缓冲层(40)的靠近所述衬底(30)的表面为第一平面(43)，所述缓冲层(40)的靠近所述器件层(50)的表面为第二平面(44)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马欢，房玉川，吴志浩，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：