【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种hmsiw双通带带通滤波器，属于于微波。
技术介绍
1、伴随着通讯系统的不断发展，滤波器也向着小型化、低成本、低损耗、高可靠性、易集成的方向不断发展。基片集成波导结合了微带结构和波导结构，拥有低损耗、体积小、高q值、易集成的优点。伴随着无线通信技术的不断发展，信道数量越来越多，单个滤波器已经无法满足多个信道集成在一个系统中的应用要求，另一方面，射频系统内部有许多非线性有源器件，使通带外产生干扰，严重影响信道传输质量。为此就需要滤波器在一个通路中传输多个信道，即急需研究hmsiw双通带带通滤波器。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种hmsiw双通带带通滤波器，解决了
技术介绍
中披露的问题。
2、根据本公开的一个方面，提供一种hmsiw双通带带通滤波器，包括至少三个堆叠的hmsiw腔体；顶层hmsiw腔体和底层hmsiw腔体的开路端进行切边处理并增设贯穿有一列金属化通孔的金属基片进行包边，其他hmsiw腔体的开路端进行切边处理；hmsiw腔体包括依次堆叠的上层金...
【技术保护点】
1.一种HMSIW双通带带通滤波器，其特征在于，包括至少三个堆叠的HMSIW腔体；
2.根据权利要求1所述的HMSIW双通带带通滤波器，其特征在于，第一缝隙孔提供主模磁耦合，通过调节第一缝隙孔的长度以及与HMSIW腔体侧壁的距离控制主模的磁耦合量。
3.根据权利要求1所述的HMSIW双通带带通滤波器，其特征在于，第二缝隙孔提供第一阶高次模的磁耦合，通过调节第二缝隙孔的长度，控制第一阶高次模的磁耦合量。
4.根据权利要求1~3任一项所述的HMSIW双通带带通滤波器，其特征在于，第一缝隙孔与HMSIW腔体侧壁平行，第二缝隙孔的中点位于H...
【技术特征摘要】
1.一种hmsiw双通带带通滤波器，其特征在于，包括至少三个堆叠的hmsiw腔体；
2.根据权利要求1所述的hmsiw双通带带通滤波器，其特征在于，第一缝隙孔提供主模磁耦合，通过调节第一缝隙孔的长度以及与hmsiw腔体侧壁的距离控制主模的磁耦合量。
3.根据权利要求1所述的hmsiw双通带带通滤波器，其特征在于，第二缝隙孔提供第一阶高次模的磁耦合，通过调节第二缝隙孔的长度，控制第一阶高次模的磁耦合量。
4.根据权利要求1~3任一项所述的hmsiw双通带带通滤波器，其特征在于，第一缝隙孔与hmsiw腔体侧壁平行，第二缝隙孔的中点位于hmsiw腔体的中心线上；同一金属基片上的第一缝隙孔和第二缝隙孔分布呈不相交的t形。
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