半导体光放大器激光二极管系统技术方案

技术编号:42396720 阅读:16 留言:0更新日期:2024-08-16 16:19
一种半导体光放大器激光二极管系统,该系统包括被配置为产生种子光的激光二极管、被配置为从电压源充电的电容器、被配置为通过电容器的受控放电来控制电流流动通过半导体光放大器的晶体管,半导体光放大器被配置为响应于流动通过半导体光放大器的电流放大所述种子光的瞬时部分以发射输出光脉冲、以及被配置为检测由位于距接收器一定距离处的目标对象散射的所述输出光脉冲的至少一部分的接收器。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光检测和测距,尤其涉及一种半导体光放大器激光二极管系统


技术介绍

1、光检测和测距(激光雷达)是一种可用于测量到远程目标的距离的技术。通常,激光雷达系统包括光源和光接收器。光源可以包括例如发射具有特定工作波长的光的激光器。激光雷达系统的工作波长可位于例如电磁波谱的红外线、可见光或紫外线部分。光源朝向散射光的目标发射光,并且一些散射光在接收器处被接收回。该系统基于与接收的光相关联的一个或多个特性来确定到目标的距离。例如,激光雷达系统可以基于由光源发射的光脉冲行进到目标并返回激光雷达系统的飞行时间来确定到目标的距离。


技术实现思路

1、根据本公开的一个方面,提供一种半导体光放大器激光二极管系统,包括:激光二极管,被配置为产生种子光;电容器,被配置为从电压源充电;晶体管,被配置为通过所述电容器的受控放电控制电流流动通过半导体光放大器;半导体光放大器,被配置为响应于流动通过所述半导体光放大器的电流放大所述种子光的瞬时部分以发射输出光脉冲;和接收器,被配置为检测由位于距所述系统一定距离处的目标对象散射的所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体光放大器激光二极管系统,其特征在于,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述种子光由脉冲电流源产生。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述种子光由恒定电流源产生。

4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述激光二极管包括第一p型/n型半导体二极管,其与包括所述半导体光放大器的第二p型/n型半导体二极管电隔离。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体光放大器还被配置为当其不放大所述种子光的至少所述瞬时部分时被反向偏置。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半...

【技术特征摘要】

1.一种半导体光放大器激光二极管系统,其特征在于,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述种子光由脉冲电流源产生。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述种子光由恒定电流源产生。

4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述激光二极管包括第一p型/n型半导体二极管,其与包括所述半导体光放大器的第二p型/n型半导体二极管电隔离。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体光放大器还被配置为当其不放大所述种子光的至少所述瞬时部分时被反向偏置。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体光放大器还被配置为当其不放大所述种子光的至少所述瞬时部分时被短路。

7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述半导体光放大器包括被配置为接收所述种子光的光波导。

8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述晶体管、所述半导体光放大器、或所述晶体管和所述半导体光放大器两者被制备在氮化镓半导体基底上。

9.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括耦合到所述半导体光放大器和所述晶体管的分流路径。

10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述分流路径被配置为防止所述半导体光放大器和所述晶体管暴露于超过指...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·G·拉沙佩勒R·D·斯蒂尔
申请(专利权)人:卢米诺技术公司
类型:新型
国别省市:

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