具有纳米压印图案的衬底的制备方法及应用技术

本申请公开了一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法及应用。制备方法包括：在衬底表面沉积SiO<subgt;2</subgt;基层；在SiO<subgt;2</subgt;基层表面转印具有镂空转印图案的光刻胶层；依次对镂空转印图案处的SiO<subgt;2</subgt;基层和衬底进行蚀刻处理，获得具有镂空衬底图案的蚀刻结构；采用修复液于预设温度Tx处理预设时间tx，进行修复处理，以修复镂空衬底图案的孔壁，获得修复结构，其中，修复液包括NaOH、KOH、NH<subgt;3</subgt;OH中的至少一种，25℃≤Tx≤75℃，30s≤tx≤300s；对修复结构进行除SiO<subgt;2</subgt;处理，获得具有纳米压印图案的衬底。本申请在进行修复处理前，留存的SiO<subgt;2</subgt;图案层能够发挥防护作用和导向作用，以修复纳米压印图案的孔壁，从而获得孔壁陡直、图形完整的纳米压印图案。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法及应用。

技术介绍

1、深紫外led灯以其安全无污染、响应快、寿命长等特点成为继传统紫外汞灯后最具潜力的新一代杀菌消毒产品。目前，深紫外led逐渐应用到白色家电消毒、婴幼儿用品消毒等领域中。但受限于目前光功率较低的限制，很难普及到大型的水杀、表杀领域。

2、algan为第三代半导体材料，其禁带宽度高、带隙连续可调，是制备深紫外led的理想材料。但由于algan层与衬底存在大的晶格失配和热失配，使得衬底上algan的晶体质量低，残余应力大。目前可通过在衬底或者aln薄膜上制作微纳图形结构，促进后续aln模板生长过程中的位错弯折并湮灭，降低aln模板的位错密度，提高aln模板的晶体质量，从而提高形成于aln模板上层algan材料的晶体质量。

3、目前主要通过纳米压印的方式在衬底上制备微纳孔型阵列，即通过压印的方式将图形转移到衬底的光刻胶上，再通过刻蚀工艺，按照光刻胶图形的位置在衬底上刻蚀出微纳孔型阵列。在刻蚀阶段，衬底的孔内会形成大量的悬挂键，且不稳定的刻蚀工艺会造成刻蚀孔位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，对所述镂空转印图案处的所述SiO2基层进行蚀刻处理包括：

3.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，对所述镂空转印图案处的所述SiO2基层进行蚀刻，获得具有镂空SiO2图案的SiO2图案层后，对所述衬底进行蚀刻处理；

4.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，所述修复处理还包括，在采用修复液进行所述修复处理前，还包括：将所述蚀刻结构置于第一清洗溶液浸泡处理去胶时间tj...

【技术特征摘要】

1.一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，对所述镂空转印图案处的所述sio2基层进行蚀刻处理包括：

3.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，对所述镂空转印图案处的所述sio2基层进行蚀刻，获得具有镂空sio2图案的sio2图案层后，对所述衬底进行蚀刻处理；

4.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于，所述修复处理还包括，在采用修复液进行所述修复处理前，还包括：将所述蚀刻结构置于第一清洗溶液浸泡处理去胶时间tj，进行去胶处理，去除所述sio2图案层表面的所述光刻胶层；

5.根据权利要求1所述的具有纳米压印图案的衬底的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立胜，沈波，许福军，贺钟冶，
申请(专利权)人：北京中博芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：