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本申请公开了一种具有纳米压印图案的衬底的制备方法及应用。制备方法包括：在衬底表面沉积SiO<subgt;2</subgt;基层；在SiO<subgt;2</subgt;基层表面转印具有镂空转印图案的光刻胶层；依次对镂...
该专利属于北京中博芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中博芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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