【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体组件及其制造方法，尤其涉及一种具有电容器的半导体组件及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体组件的工艺中，会通过氢烧结(h2 sintering)处理来减少形成于衬底中的悬浮键(dangling bond)，以提升半导体组件的电性表现。在动态随机存取存储器中，电容器的上电极在进行氢烧结处理时会在氢自外界进入硅衬底的过程中造成阻挡，因而妨碍氢烧结处理的进行。如此一来，半导体组件的电性表现无法有效地提升。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种半导体组件及其制造方法，有效地避免电容器在高频操作下的电容降低(capacitance drop)的问题，且可提升半导体组件的电性表现。
2、本专利技术的半导体组件包括衬底、电容器、图案化导电层以及接点(contact)。所述衬底包括阵列区与周边区，其中所述阵列区中的所述衬底中设置有晶体管，且所述周边区中的所述衬底中设置有导电组件。所述电容器设置于所述衬底上，且与所述晶体管电性连接。所述图案化导电层设置于所述电容器上，且...
【技术保护点】
1.一种半导体组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述电容器包括：
3.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述接点的顶表面与所述第二电极的顶表面位于相同水平高度处。
4.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述接点的顶表面低于所述第二电极的顶表面。
5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括第一介电层，其中所述电容器与所述接点位于所述第一介电层中，且所述电容器的顶表面、所述接点的顶表面以及所述第一介电层的顶表面位于相同水平高度处。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述电容器包括：
3.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述接点的顶表面与所述第二电极的顶表面位于相同水平高度处。
4.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述接点的顶表面低于所述第二电极的顶表面。
5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括第一介电层，其中所述电容器与所述接点位于所述第一介电层中，且所述电容器的顶表面、所述接点的顶表面以及所述第一介电层的顶表面位于相同水平高度处。
6.根据权利要求5所述的半导体组件，其特征在于，还包括第二介电层，设置于所述电容器与所述第一介电层上，其中所述图案化导电层位于所述第二介电层中，且所述图案化导电层的顶表面与所述第二介电层的顶表面位于相同水平高度处。
7.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括第一介电层，其中所述电容器与所述接点位于所述第一介电层中，所述第一介电层的顶表面低于所述电容器的顶表面，且所述接点的顶表面与所述第一介电层的顶表面位于相同水平高度处。
8.根据权利要求7所述的半导体组件，其特征在于，还包括第二介电层，设置于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏宏谕，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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