【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种高效去除杂质的研磨垫修整器改进装置。
技术介绍
1、化学机械研磨(cmp)是晶圆在研磨盘(platen)与研磨头(head)、研磨液(slurry)之间相互作用的过程，三者任意状态出现偏差都会影响研磨速率(mrr,material removerate)。
2、研磨盘上的研磨垫(pad)起到承载并均匀运输研磨液、去除杂质、提供化学机械研磨环境的功用。研磨垫是一种消耗品，杂质的堆积会使其表面“釉化”无法有效承载研磨液，研磨速率减慢。在现有的化学机械研磨过程中，晶圆发生比例最高的一种表面缺陷就是划伤，这是由研磨垫上的杂质造成的。一方面，化学机械研磨机台连续研磨时间过长，研磨垫上的研磨液会发生结晶，继而在后续晶圆的研磨过程中，研磨垫会因为其自身携带的研磨液结晶，而对后续的晶圆表面造成划伤。另一方面，研磨副产物的堆积也容易导致晶圆表面划伤。若不及时清除研磨垫上杂质，就会导致晶圆表面产生划伤，降低产品的良率。
3、研磨垫修整器(conditioner)可以理解为镶嵌钻石细粒的刷子，它可以清扫研...
【技术保护点】
1.一种高效去除杂质的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，所述研磨垫修整器改进装置包括套设在研磨垫修整器的修整头外围的环状夹持器，所述环状夹持器上固定一环状多晶硅。
2.根据权利要求1所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，所述修整头靠近研磨垫的一端设有一金刚石修整层。
3.根据权利要求2所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，在一次研磨作业完成后，所述修整头从初始位置下降到预设位置，所述环状夹持器处于收回状态，所述金刚石修整层的整体高于所述环状多晶硅的朝向所述研磨垫的表面，所述研磨垫修整器通过所述金刚石修整层开始修整所述研磨垫。
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【技术特征摘要】
1.一种高效去除杂质的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，所述研磨垫修整器改进装置包括套设在研磨垫修整器的修整头外围的环状夹持器，所述环状夹持器上固定一环状多晶硅。
2.根据权利要求1所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，所述修整头靠近研磨垫的一端设有一金刚石修整层。
3.根据权利要求2所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，在一次研磨作业完成后，所述修整头从初始位置下降到预设位置，所述环状夹持器处于收回状态，所述金刚石修整层的整体高于所述环状多晶硅的朝向所述研磨垫的表面，所述研磨垫修整器通过所述金刚石修整层开始修整所述研磨垫。
4.根据权利要求3所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在于，所述金刚石修整层对所述研磨垫的修整作业完成后，所述环状夹持器推出使所述环状多晶硅的朝向所述研磨垫的表面与所述金刚石修整层的表面齐平或高于所述金刚石修整层的表面，开始用所述环状多晶硅吸附残留在所述研磨垫表面的杂质。
5.根据权利要求4所述的研磨垫修整器改进装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：高宗源，却玉蓉，王刚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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