一种内埋功率模组结构的基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种内埋功率模组结构的基板及其制造方法，涉及半导体封装领域，以解决高电压下基板工作性能差的问题。基板包括：热沉结构上表面开设贴入芯片的凹槽；导热绝缘结构包括陶瓷板以及分别覆盖其两面的第一金属层和第二金属层，第一金属层与热沉结构键合；芯板开设嵌入热沉结构的通槽，芯板上、下表面均设填埋树脂层，覆盖于芯板表面、芯片周围、热沉结构周围以及导热绝缘结构周围，树脂层背离芯板一面均设有线路层，线路层和第二金属层远离陶瓷板一面均设有用于将热沉结构和线路层与芯片电连接的盲孔和通孔。通过双面覆盖金属层的陶瓷板分别连接热沉结构和芯板的线路层，提高了在高电压下基板内部与散热机构间的绝缘性和散热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，具体涉及一种内埋功率模组结构的基板及其制造方法。

技术介绍

1、目前，高压大电流功率模组在现代电源管理系统中有大量的应用，比如电动汽车、太阳能电池逆变器、集成启动交流发电机、不间断电源等，电压高达600-800v高压大电流高功率电源管理模组有大量的使用，内埋式高压大电流功率管理模组，作为先进封装在电源管理中使用，电源管理模组需要耐瞬时高压，而常规框架式模块在高电压、大电流的工作条件下，通常基板内部结构与外接散热结构之间散热性能差，热阻高，使得基板内部与散热机构之间不具备良好的工作性能和优良的安全保障。内埋电源管理芯片在启动瞬时，需要承受高达3000伏的瞬时高压，同时正常工作需要耐受600-800伏的高压，电源管理芯片的高压端和低压端在良好散热的同时必须能够保证良好绝缘性能，以保证人员和环境安全。

2、将电源管理芯片内埋在基板中，大幅度缩小了电源管理芯片与其他器件间的距离，将器件杂散电感大幅度降低，从而大幅度降低了器件的开关损耗；在大幅度提升大功率电源性能同时，大幅度缩小逆变器等电源管理模块的体积。</p>
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【技术保护点】

1.一种内埋功率模组结构的基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，所述热沉结构的厚度大于所述陶瓷板的厚度。

3.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，还包括散热结构，所述散热结构包括：

4.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，所述导热绝缘结构的截面积和所述热沉结构的截面积相同；

5.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，还包括阻焊层，所述阻焊层覆盖于位于所述填埋树脂层一侧的线路层的表面，且所述阻焊层上开窗，所述开窗的底部用于将所述线路层与其...

【技术特征摘要】

1.一种内埋功率模组结构的基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，所述热沉结构的厚度大于所述陶瓷板的厚度。

3.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，还包括散热结构，所述散热结构包括：

4.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，所述导热绝缘结构的截面积和所述热沉结构的截面积相同；

5.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，还包括阻焊层，所述阻焊层覆盖于位于所述填埋树脂层一侧的线路层的表面，且所述阻焊层上开窗，所述开窗的底部用于将所述线路层与其他器件电连接。

6.根据权利要求1所述的内埋功率模组结构的基板，其特征在于，所述芯片具有上电极和下电极，所述第一凹槽为梯形槽，所述梯形槽的底部长度小于所述梯形槽的开口长度，且所述上电极和所述下电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，陈钏，侯峰泽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：