基于三层埋绝缘层提升晶圆柔顺滑移特性的SOI晶圆结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于三层埋绝缘层提升晶圆柔顺滑移特性的SOI晶圆结构及制作方法，主要解决现有技术柔顺滑移特性不够好的问题。其包括衬底(1)、埋绝缘层(2)和顶层薄膜(3)，该埋绝缘层采用自上而下为上干氧SiO<subgt;2</subgt;薄膜(23)、湿氧SiO<subgt;2</subgt;薄膜(22)、下干氧SiO<subgt;2</subgt;薄膜(21)，且总厚度为1.86μm～2.2μm的三层结构，并在衬底上依次通过干氧工艺、湿氧工艺、干氧工艺制备，再与顶层薄膜键合构成具有晶圆柔顺滑移特性的SOI晶圆。本发明专利技术能保证衬底与下干氧SiO<subgt;2</subgt;薄膜和顶层薄膜与上干氧SiO<subgt;2</subgt;薄膜界面质量，降低了制备成本与时间，进一步提高晶圆柔顺滑移特性，可用于超高速、低功耗、抗辐照半导体器件及集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，特别涉及一种soi晶圆结构及制作方法，可用于超高速、低功耗、抗辐照半导体器件及集成电路。

技术介绍

1、进入21世纪以来，应变硅(si)和绝缘体上硅soi被公认为是深亚微米和纳米技术时代维持摩尔定律的两大关键技术，也被称为21世纪的si集成电路技术。

2、soi是一种具有独特的“si/绝缘层/si”三层结构的新型si基半导体衬底材料，也是一种全介质隔离的技术。正是这种独特结构，使得soi材料有着许多体si材料不可比拟的优势。相对于体si衬底材料，soi具有速度更高、功耗更低、漏电流更小、集成密度高、抗辐照特性好等优点，而结合了应变硅和soi优点的应变soi技术，更是一种极具创新和竞争力的新技术，将成为制造高速、低功耗、抗辐照si器件和集成电路的优选工艺。

3、申请号为cn201610446073.2的专利文献公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变soi的制作方法，其在已有soi晶圆上进行高应力sin薄膜淀积制备，制作步骤为：首先在清洗后的soi晶圆顶层si上淀积sio2层；然后对顶层si进行离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于三层埋绝缘层提升晶圆柔顺滑移特性的SOI晶圆结构及制作方法，包括衬底(1)、埋绝缘层(2)、顶层薄膜(3)，其特征在于，埋绝缘层(2)采用上干氧SiO2薄膜(21)、湿氧SiO2薄膜(22)、下干氧SiO2薄膜(23)三层结构，以保证界面质量，降低制备成本与时间，进一步提高晶圆柔顺滑移特性。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述干氧SiO2薄膜(21)、湿氧SiO2薄膜(22)、干氧SiO2薄膜(23)自下而上分布，下干氧SiO2薄膜(21)厚度为30nm～100nm，湿氧SiO2薄膜(22)厚度为1.86μm～2μm，上干氧SiO2薄膜(23)厚度为3...

【技术特征摘要】

1.一种基于三层埋绝缘层提升晶圆柔顺滑移特性的soi晶圆结构及制作方法，包括衬底(1)、埋绝缘层(2)、顶层薄膜(3)，其特征在于，埋绝缘层(2)采用上干氧sio2薄膜(21)、湿氧sio2薄膜(22)、下干氧sio2薄膜(23)三层结构，以保证界面质量，降低制备成本与时间，进一步提高晶圆柔顺滑移特性。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述干氧sio2薄膜(21)、湿氧sio2薄膜(22)、干氧sio2薄膜(23)自下而上分布，下干氧sio2薄膜(21)厚度为30nm～100nm，湿氧sio2薄膜(22)厚度为1.86μm～2μm，上干氧sio2薄膜(23)厚度为30nm～100nm，总厚度为1.86μm～2.2μm。

3.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述衬底(1)采用硅材料，厚度为100μm～1100μm。

4.根据权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述顶层薄膜(3)采用硅材料，厚度为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴显英，郭艺玮，胡晨哲，徐浩，荆熠博，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：