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本发明公开了一种基于三层埋绝缘层提升晶圆柔顺滑移特性的SOI晶圆结构及制作方法，主要解决现有技术柔顺滑移特性不够好的问题。其包括衬底(1)、埋绝缘层(2)和顶层薄膜(3)，该埋绝缘层采用自上而下为上干氧SiO<subgt;2</...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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