基于自支撑GaN导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器制造技术

本发明专利技术属于半导体光电器件领域，具体涉及一种基于自支撑GaN导电桥的紫外‑可见光双波长复合光电探测器，主旨在于解决传统氮化物基光电探测器只能实现紫外光(GaN)或可见光(InGaN)的单波长探测的问题，从下至上依次设置的支撑衬底(1)、缓冲层(2)、InGaN薄膜(3)，在所述InGaN薄膜之上设置有左金属电极(4)、绝缘层(5)，在绝缘层(5)之上设置有右金属电极(6)，在所述右金属电极和InGaN薄膜之上设置有自支撑GaN薄膜导电桥(7)。本发明专利技术的成功应用为氮化镓基紫外‑可见光双波长复合光电探测器的发展开辟了新的思路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电器件领域，具体涉及一种基于自支撑gan导电桥的双波长复合光电探测器。

技术介绍

1、光电探测技术是现代信息获取的主要手段之一，近年来引起了业内人士的普遍关注，在军事和民用领域占有越来越重要的地位。光电探测技术的核心部件是光电探测器，其性能与光探测精度息息相关。目前，主要应用于制备光电探测器的半导体材料包括硅(si)基材料、砷化镓(gaas)体系材料和以氮化镓(gan)为代表的氮化物材料。对于si基材料和gaas体系材料由于禁带宽度较窄，虽然理论可探测波长范围可以覆盖紫外波段、可见光波段，但对于短波长入射光的强吸收系数使得其在材料表面被大量吸收，从而导致产生的光生载流子极易受到表面态的影响，使得大部分的电子-空穴对在材料表面发生复合，最终限制了基于这两种材料的光电探测器在短波长区域量子效率的提升。相比之下，以氮化镓(gan)为代表的氮化物材料由于具有宽禁带、直接带隙、带隙可调、高电子迁移率、高击穿电压以及强抗辐照能力等特点，在短波长探测领域具有天然优势。

2、经过二十多年的发展，氮化物基光电探测器性能已经取得了极大提升。然本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于自支撑GaN导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器，其特征在于，包括从下至上依次设置的支撑衬底(1)、缓冲层(2)、InGaN薄膜(3)，在所述InGaN薄膜之上设置有左金属电极(4)、绝缘层(5)，在绝缘层(5)之上设置有右金属电极(6)，在所述右金属电极和InGaN薄膜之上设置有自支撑GaN薄膜导电桥(7)。

2.根据权利要求1所述的一种基于自支撑GaN导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器，其特征在于，所述支撑衬底为绝缘刚性材料，包括蓝宝石、硅/氧化硅、碳化硅/氧化硅中的任一一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于自支撑GaN导电桥的紫外-可...

【技术特征摘要】

1.一种基于自支撑gan导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器，其特征在于，包括从下至上依次设置的支撑衬底(1)、缓冲层(2)、ingan薄膜(3)，在所述ingan薄膜之上设置有左金属电极(4)、绝缘层(5)，在绝缘层(5)之上设置有右金属电极(6)，在所述右金属电极和ingan薄膜之上设置有自支撑gan薄膜导电桥(7)。

2.根据权利要求1所述的一种基于自支撑gan导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器，其特征在于，所述支撑衬底为绝缘刚性材料，包括蓝宝石、硅/氧化硅、碳化硅/氧化硅中的任一一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于自支撑gan导电桥的紫外-可见光双波长复合光电探测器，其特征在于，所述缓冲层(2)为晶格常数介于ingan薄膜(3)和支撑衬底(1)材料之间的材料，包括gan、aln、algan中的任意一种。

4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡天贵，李霞，刘洋，师少龙，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院衢州，
类型：发明
国别省市：